記憶體概念股有哪些?2026美光、SK海力士、SanDisk等20檔週期見頂了?

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Yee Harn(彧涵)目前擔任 Spark Spark Finance 的內容總編輯與社群媒體編輯,負責網站內容的規劃、撰寫方向、資料查核與定期更新,專注為讀者整理客觀、中立且易理解的投資與財經資訊。她長期關注美股、馬股及新興市場動態,並以一般投資人角度,分享市場觀察與趨勢解析。她擅長把複雜的金融主題轉化為淺顯易懂的內容,讓更多人輕鬆理解財經資訊。此外,她也非常重視讀者互動,透過留言與社群溝通了解讀者的疑問與需求,以持續優化內容品質。 在此之前,Yee Harn 於 2021 年加入 Finspark,負責公司旗下 3 個 YouTube 頻道的內容方向,撰寫超過 100+ 與個人理財、成長、宏觀經濟與地緣政治相關的視頻腳本,並管理社交媒體內容。 2023 年加入價值思維,擔任 SEO 內容創作者與社群媒體編輯,負責儲蓄、信用卡、政府津貼、基金與 ETF 等主題,以輕鬆易懂的方式幫助小資族了解基礎投資知識。

記憶體概念股在 2026年10月又迎來一輪劇烈修正。韓股在韓文日連假後補跌,SK 海力士 10月12日至13日兩個交易日累計下跌約 14%,鎧俠 10月13日單日重挫 13%,美光收在 953.19 美元,距 52 週高點已回落約 24%。

摩根士丹利 10月13日的報告指出,亞洲記憶體股自 2025年9月以來累計上漲約 9 倍,市場對每股盈餘的一致預期平均上修了 432%,樂觀情境已經大致反映在股價上。

股價在跌,財報卻還在創新高。美光上一季毛利率 86.8%,南亞科第 3 季毛利率 85.7%,兩家都是歷史最高。投資人賣股票,是擔心 2027 年下半年新產能陸續開出後,記憶體報價和獲利會開始回落。過去幾輪週期,記憶體股通常比獲利早 4 至 8 個月見頂。

這篇文章整理美股、韓股、日股、陸股、台股共 20 檔記憶體概念股,拆解這次大跌的 4 個原因,並說明判斷記憶體週期見頂的 4 個指標。

記憶體概念股是什麼? 記憶體概念股是指生產或供應記憶體晶片與儲存裝置的上市公司,包括 DRAM、NAND Flash、HBM 原廠,以及控制 IC、記憶體模組、封裝測試與設備供應商。

本文重點

  • 全球市值前 10 大記憶體概念股:三星、美光、SK 海力士、長鑫、SanDisk、希捷、鎧俠、威騰、南亞科、華邦電,另加 10 檔台股供應鏈
  • 2026年10月記憶體股大跌的 4 個原因:三星財報利多出盡、韓股回購托底消失、長鑫 4F² DRAM 技術進展、AI 資本成本上升
  • 判斷記憶體週期見頂的 4 個指標:合約價漲幅、盈利上修動能、本益比、新產能時程
  • 想一次布局整個產業,可以參考全球第一檔記憶體 ETF:DRAM

記憶體概念股是什麼?

記憶體是電子產品存放資料的元件。AI 伺服器、手機、電腦、汽車都需要兩種記憶體:一種是處理器運算時暫存資料的工作記憶體(DRAM、HBM),另一種是長期保存資料的儲存記憶體(NAND Flash、硬碟)。凡是生產這些產品,或者在供應鏈上提供關鍵零組件、設備與服務的上市公司,都可以歸類為記憶體概念股。

記憶體產業鏈可以分成四層:

  • 原廠:自己設計、自己生產記憶體晶片,例如三星、SK 海力士、美光、鎧俠、南亞科。對報價最敏感,景氣好時賺最多
  • 控制 IC 與模組廠:把原廠的晶片做成 SSD、記憶體條或嵌入式模組,例如群聯、慧榮、威剛、創見
  • 封測與設備:負責封裝、測試,以及 HBM 需要的堆疊、鍵合設備,例如力成、南茂、韓美半導體、萬潤
  • 終端需求:AI 伺服器、資料中心、手機、PC、車用與工業應用

記憶體是高度寡占的產業。三星、SK 海力士、美光三家掌握全球約 90% 的 DRAM 營收,HBM 更是只有這三家能大量供貨。寡占讓原廠在缺貨時擁有很強的定價能力,但也代表整個產業的股價會跟著報價同漲同跌,週期性比一般科技股更明顯。

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記憶體概念股有哪些?2026 總覽表

全球市值前 10 大記憶體概念股

排名公司代號市場主力產品市值(美元)距 52 週高點
1三星電子005930.KS韓股DRAM、
NAND、
HBM
1.16 兆-37%
2美光MU美股DRAM、
NAND、
HBM
1.08 兆-24%
3SK 海力士000660.KS/SKHY韓股、美股 ADRDRAM、
HBM、
NAND
7,818 億-51%
4長鑫科技688825.SS陸股(科創板)DRAM4,978 億-24%
5SanDiskSNDK美股NAND、
SSD
2,142 億-37%
6希捷STX美股硬碟
(HDD)
1,699 億-35%
7鎧俠285A.T日股NAND、
SSD
1,514 億-60%
8威騰電子WDC美股硬碟
(HDD)
1,425 億-52%
9南亞科2408.TW台股DRAM524 億-14%
10華邦電2344.TW台股DRAM、
NOR Flash
231 億-29%
市值取自 CompaniesMarketCap 半導體市值排名,華邦電以 Yahoo Finance 個股報價的新台幣市值換算;韓股、日股、陸股、台股為 2026年10月14日盤中,美股為 10月13日收盤

台灣記憶體供應鏈 10 檔

公司代號族群市值(美元)距 52 週高點
群聯8299.TWONAND 控制 IC、
SSD
136 億-31%
力積電6770.TWDRAM、
Flash 代工
102 億-27%
慧榮SIMO(美股)NAND 控制 IC84 億-31%
力成6239.TW記憶體封測68 億-22%
旺宏2337.TWNOR Flash、
利基型 NAND
68 億-43%
萬潤6187.TWO先進封裝
與檢測設備
47 億-7%
創見2451.TW記憶體模組37 億-28%
宜鼎5289.TWO工控與嵌入式
儲存模組
36 億-40%
威剛3260.TWO記憶體模組36 億-31%
南茂8150.TW記憶體封測25 億-12%
力積電、慧榮、南茂市值取自 CompaniesMarketCap,其餘以 Yahoo Finance 台股報價的新台幣市值,按 1 美元兌 32.17 新台幣換算;台股為 2026年10月14日盤中,慧榮為 10月13日收盤

可以發現這輪修正不是只有三巨頭在跌。鎧俠、威騰、SK 海力士都已經從高點腰斬,跌幅反而比三星、美光更深;南亞科、萬潤、南茂相對抗跌。

記憶體概念股龍頭:SK 海力士、三星、美光

記憶體的龍頭股是三星、SK 海力士和美光,三家合計掌握全球約 90% 的 DRAM 市場,也是唯三能大量供應 HBM 的公司。三家都在賣記憶體,但強項、風險和適合的投資人很不一樣:SK 海力士是 HBM 技術領先者,三星是規模最大、業務最廣的綜合廠,美光則是唯一的美國原廠。

SK 海力士三星電子美光
市值
(美元)
7,818 億1.16 兆1.08 兆
最新一季營收79.3 兆韓元
(2026 Q2)
171.5 兆韓元
(2026 Q2,全公司)
542.3 億美元
(2026 財年 Q4)
獲利能力營業利益率 76%半導體部門營業利益 89.2 兆韓元,
占全公司 99% 以上
GAAP 毛利率 86.8%
DRAM 市占
(2026 Q2)
26%39%25%
HBM 市占
(2026 Q2)
50%33%18%
本益比遠期約 3 至 4 倍;
ADR 近 12 個月約 10.4 倍
遠期約 3 至 4 倍近 12 個月約 13.3 倍
股息殖利率0.1%0.6%0.06%
5 年 Beta2.391.542.23
距 52 週高點-51%-37%-24%
台灣、馬來西亞
投資人怎麼買
美股 ADR(SKHY)
或韓股帳戶
韓股帳戶美股帳戶
本益比、殖利率與 Beta 取自 Yahoo Finance 美光報價頁與韓股報價頁,遠期本益比引用摩根士丹利 10月13日的報告,2026年10月14日查詢。Beta 大於 1 代表股價波動比大盤大,數字越高波動越劇烈。市占率取自 Counterpoint Research

SK 海力士(000660.KS/SKHY):HBM 技術領先者

SK 海力士(SK Hynix)是 SK 集團旗下的記憶體廠,業務幾乎全部集中在 DRAM 和 NAND,是三巨頭中最純的記憶體公司。這輪 AI 行情裡,它靠 HBM 從市占第二變成獲利最強的記憶體廠。

據悉,SK 海力士旗下的

競爭優勢:好在哪?

  • HBM 起步最早、量產最穩:SK 海力士 2025年9月12日全球第一家完成 HBM4 開發並準備好量產。它的 HBM 用自家成熟的 MR-MUF 封裝製程堆疊,量產風險較低,底層邏輯晶片則和台積電合作
  • 拿下輝達最大份額:韓聯社報導,SK 海力士拿到輝達 Vera Rubin 平台約三分之二的 HBM4 需求,2026 年第 2 季 HBM 市占 50%,仍是全球第一
  • 長約鎖定需求:根據 SK 海力士 2026 年第 2 季財報,公司已和約 10 家客戶簽下長期供貨協議,第 2 季開始量產出貨 HBM4,下半年放量
  • 布局 HBM 之後的技術:2026年10月12日在 OCP 全球峰會上,SK 海力士發表記憶體為中心的 AI 機架系統 MARS,把記憶體從單台伺服器拆出來變成共用的記憶體池,讓記憶體不足的伺服器不用多買 GPU 就能擴充。8月也和 SanDisk 發布第一版 HBF 標準規格,單一堆疊容量最高 512GB

最新財報:2026 年第 2 季營收 79.3 兆韓元、年增 257%,營業利益 60.5 兆韓元,營業利益率 76%。

投資優點

  • 最直接的 HBM 與 AI 記憶體標的,HBM 市占全球第一,業務幾乎只有記憶體
  • 2026年7月起在那斯達克掛牌 ADR(SKHY),台灣、馬來西亞投資人用美股帳戶就能買
  • 營業利益率 76%,和三星記憶體部門的獲利水準相當

投資缺點

  • HBM 市占從第 1 季的 58% 掉到第 2 季的 50%,三星追得很快
  • 客戶高度集中在輝達,輝達的採購分配一改變,營收就會受影響
  • 股價波動最大,5 年 Beta 2.39,距 52 週高點已跌 51%;股票回購在 10月接近尾聲,外資賣超又集中在 SK 海力士
  • 股息殖利率只有約 0.1%,不適合想領股息的投資人

適合誰:看好 HBM 需求持續成長、能承受單一產業高波動的投資者。

延伸閱讀:

三星電子(005930.KS):規模最大的一條龍綜合廠

三星(Samsung)是全球最大的記憶體廠,同時經營晶圓代工、System LSI 晶片設計、手機、家電與顯示器。這讓它的業務最分散,但在這一輪,獲利幾乎全部來自記憶體:三星 2026 年第 2 季財報營業利益 89.5 兆韓元,其中半導體部門就貢獻 89.2 兆韓元。

競爭優勢:好在哪?

  • 產能規模最大:2026 年第 2 季 DRAM 市占 39%、NAND 市占 29.3%,兩項都是全球第一
  • 唯一能一條龍做 HBM:三星的 HBM4 用自家 1c DRAM 晶片,加上自家 4 奈米製程生產的底層邏輯晶片,2026年2月比對手更早開始量產出貨。記憶體、晶圓代工、先進封裝都能自己做,三星 2026年7月和博通簽下合作備忘錄,到 2030 年的合作規模超過 2,000 億美元
  • HBM 市占快速回升:第 2 季 HBM 市占從 21% 跳到 33%,和 SK 海力士的差距從 37 個百分點縮小到 17 個百分點
  • 股東回饋最大:三星 2026年8月宣布,2026 年股東回饋預估 90 兆至 110 兆韓元,是韓國企業史上最大規模,第 3 季先發放約 30 兆韓元現金股利

最新財報:2026 年第 3 季初步財報營收約 195 兆韓元、營業利益約 107.4 兆韓元,創歷史新高,10月29日公布完整財報。

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投資優點

  • 股息殖利率約 0.6%,是三巨頭中最高,股東回饋規模也最大
  • 業務最分散,5 年 Beta 1.54,波動在三巨頭中最低
  • HBM 市占回升最快,晶圓代工虧損也在縮小:Kiwoom 證券預估,晶圓代工與 System LSI 合計虧損將從 2025 年的 6.74 兆韓元縮小到 2026 年的 3.92 兆韓元

投資缺點

  • 晶圓代工與 System LSI 仍在虧錢,會拖累整體獲利
  • 手機等消費電子部門第 2 季轉為虧損 8,000 億韓元,記憶體漲價反而墊高自家手機的零件成本
  • 第 3 季財報創新高,股價卻兩天跌超過一成,市場已經在交易盈利見頂
  • 台灣、馬來西亞投資人需要能交易韓股的券商帳戶

適合誰:想參與記憶體行情、但希望波動低一點,也重視股息與股東回饋的投資者。

延伸閱讀:

美光(MU):唯一的美國記憶體原廠

美光(Micron)是美國唯一的記憶體原廠,總部在愛達荷州。美光 2026 財年年報寫明,2026 年美光大部分的 DRAM 是在台灣的工廠生產。

競爭優勢:好在哪?

  • 製程技術:美光 2025 年推出業界第一個 1γ(1-gamma)DRAM 製程,也是它第一次在 DRAM 導入 EUV 曝光技術;2026 財年第 4 季,大部分 DRAM 位元已經在 1γ 製程生產
  • 美國本土供應鏈:美光和美國商務部在2024年簽下 61 億美元的《晶片法案》補助,加速愛達荷州第二座廠,並規劃愛達荷 HBM 先進封裝廠;紐約廠第一座晶圓廠預計約 2030 年上線。地緣政治風險升高時,美國本土產能是客戶分散供應來源的選項
  • HBM4 已量產:HBM4 在 2026 年第 1 季量產出貨,供應輝達 Vera Rubin;年報表示 HBM4E 預計 2027 年放量,2027 年大部分 HBM 供貨量也已鎖定
  • 全力轉向 AI:2025年12月宣布退出 Crucial 消費性業務,產能集中給資料中心

最新財報:2026 財年第 4 季營收 542.3 億美元,GAAP 毛利率 86.8%;全年營收 1,331.9 億美元。下一季營收指引 615 億美元,上下 15 億美元。

投資優點

  • 在美股掛牌,交易量大、流動性好,台灣、馬來西亞投資人用美股帳戶就能買
  • DRAM 市占 25%,和 SK 海力士只差 1 個百分點,成長最快
  • 距 52 週高點跌 24%,是三巨頭中跌幅最小的一檔

投資缺點

  • HBM 市占 18%,三巨頭中最小
  • 2026 財年資本支出淨額 273.7 億美元,擴產最積極,新產能開出時也最容易受到報價下跌影響
  • 中國市場受限:中國 2023 年禁止關鍵基礎設施使用美光產品,路透 2025年10月報導,美光將退出中國資料中心的伺服器晶片業務,當時中國大陸約占美光營收的 12%
  • 5 年 Beta 2.23,波動大;股息殖利率只有約 0.06%

適合誰:用美股帳戶、想直接參與記憶體行情,也能承受高波動的投資者。

長鑫科技(688825.SS):中國記憶體龍頭

長鑫科技(CXMT,又稱長鑫存儲)是中國最大的 DRAM 廠,2026年7月27日在上交所科創板掛牌,目前市值約 4,978 億美元,比 SanDisk 和希捷加起來還高。產品以 DDR5、LPDDR5 等標準型 DRAM 為主。

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好在哪?

  • 獲利已經追上國際大廠的水準:根據長鑫 2026 年上半年財報,上半年營收 1,503.1 億元人民幣,年增 873.6%;歸屬母公司淨利 776.1 億元人民幣,去年同期還虧損 23.3 億元;主營業務毛利率 84.84%
  • 成長最快:Counterpoint Research 披露長鑫 2026 年第 2 季 DRAM 營收年增 716%,全球市占約 7%,排名第 4。下半年要觀察長鑫如何運用 IPO 資金擴充 HBM 與 LPDDR6 產能。
  • 4F² 架構可能在單元設計上領先:長鑫總裁曹堪宇 2026年10月9日至10日在集成芯片和芯粒大會上宣布,4F² DRAM 架構取得關鍵進展,預計年底前推出採用 4F² 與混合鍵合技術的 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體,直接瞄準高毛利的 AI 伺服器 DRAM 市場
  • 研發與產品線持續推進:上半年研發支出 68.6 億元人民幣,年增 87.4%;LPDDR6 樣品已送主要客戶驗證,最高速度 12,800 Mbps

4F² 是什麼?為什麼讓記憶體股大跌?

DRAM 的每個記憶單元由一顆電晶體和一顆電容組成。目前主流的 6F² 架構裡,F 代表製程的最小線寬,每個單元占 6 個 F 平方的面積;4F² 把單元縮小到 4 個 F 平方,面積少了三分之一,同樣一片晶圓理論上可以多放約 50% 的位元,單位成本更低,也更適合做 AI 伺服器需要的大容量記憶體條。長鑫的做法是用自研的垂直包圍閘極(VSG)電晶體,把電晶體從水平改成垂直,抑制漏電。

市場擔心的是,如果長鑫能用更低的成本、更大的規模切入原本由美韓廠商主導的高階 DRAM 市場,三大原廠的利潤空間會被壓縮。消息傳出後的 10月12日,美光跌破 1,000 美元、收跌 3.88%,SanDisk 跌 5.97%,SK 海力士 ADR 跌 4.02%,希捷跌 3.8%。

馬斯克同一天在 X 上回應分析師的貼文,說中國一旦搞懂某項產品怎麼製造,規模化能力往往超過全世界其他地區的總和,並以鋰電池和太陽能為例;手機和筆電用的低功耗記憶體是共通規格,中國「似乎很快就在解決」。但他也說,新一代 HBM、把記憶體堆疊在處理器上同時解決散熱,「會更難解決」。

最新財報:2026 年上半年營收 1,503.1 億元人民幣,淨利 776.1 億元人民幣,毛利率 84.84%。

投資優點

  • 中國最大的 DRAM 廠,受惠中國本土 AI 與手機需求,國產替代的政策支持明確
  • 獲利能力已和國際大廠同一水準,營收成長速度遠超過三巨頭
  • 4F² 若順利量產,單位成本可能低於競爭對手

投資缺點

  • 美國國防部 2025年1月把長鑫列入「中國軍事企業」清單,長鑫 2026年8月已提告。只要還在清單上,美國國防部就不能和它直接簽約,客戶、銀行與供應商也可能卻步,2027年6月起還可能加上更多限制
  • 4F² 從發表到量產還有距離,Morningstar 認為商業化「極其困難」,伺服器記憶體也要通過客戶的可靠度驗證
  • 目前主力是標準型 DRAM,HBM 仍落後韓國廠商
  • 近 12 個月本益比約 32.6 倍,比三巨頭高
  • 台灣、馬來西亞投資人一般無法直接買 A 股

適合誰:能交易 A 股、看好中國記憶體替代,也能承受地緣政治風險的投資者。沒有 A 股帳戶的投資人,可以透過持有長鑫部位的記憶體 ETF「DRAM」間接參與。

延伸閱讀:

DRAM 概念股有哪些?三大原廠、長鑫與台灣 DRAM 廠

DRAM 概念股是指生產 DRAM,或營收主要來自 DRAM 的公司。DRAM 是記憶體產業中營收最大的產品,TrendForce 統計,2026 年第 2 季全球 DRAM 產業營收約 1,547 億美元,季增 59.5%,主要來自標準型 DRAM 合約價大漲。

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排名公司2026 Q2 DRAM 營收季增市占主力產品
1三星電子609.8 億美元+63.4%39.4%DDR5、LPDDR5、HBM
2SK 海力士385.9 億美元+37.9%24.9%HBM、DDR5
3美光360.0 億美元+65.5%23.3%DDR5、LPDDR5、HBM
—南亞科26.1 億美元+68.3%約 1.7%DDR4、DDR5、LPDDR4
—華邦電10.0 億美元+75.8%約 0.6%利基型 DRAM
—力積電1.2 億美元+167.8%約 0.1%消費型 DRAM

這張表也看得出 SK 海力士的處境。它的 HBM 領先,但標準型 DRAM 這一季漲價最多,SK 海力士的營收季增只有 37.9%,市占從第 1 季的 28.8% 降到 24.9%;美光季增 65.5%,和 SK 海力士的差距縮小到 1.6 個百分點。

DRAM 概念股的 3 種類型

類型公司主要產品獲利來源
主流 DRAM 原廠三星、SK 海力士、美光、長鑫DDR5、LPDDR5、HBMAI 伺服器、資料中心
利基型 DRAM 廠南亞科、華邦電、力積電DDR4、DDR3、消費型與車用 DRAM三大廠退出成熟產品後留下的缺口
DRAM 供應鏈威剛、創見、宜鼎(模組);力成、南茂(封測);萬潤(設備)記憶體模組、封裝測試、設備報價上漲帶來的庫存利益、封測與設備訂單

主流原廠的分析見上方龍頭與長鑫段落,台灣 DRAM 廠與供應鏈見下方台灣記憶體概念股段落。

利基型 DRAM 廠在這一輪的表現值得特別看。三大原廠把產能轉向 HBM 和 DDR5,DDR4、DDR3 等成熟產品的供給大幅減少。TrendForce 指出,南亞科的營收成長主要來自 DDR4 與 DDR3 合約價大漲,華邦電則承接了大廠已經無法完整供應的需求;TrendForce 也預估第 3 季消費型 DRAM 的漲幅會是各類 DRAM 中最大的,原因是供應商大幅削減了這類產品的供給。

從股價也看得出差別:截至2026年10月14日,南亞科距 52 週高點只跌 14%,華邦電跌 29%,SK 海力士則跌了 51%。不過利基型 DRAM 廠的技術和規模都比不上三大廠,一旦三大廠或長鑫重新擴大成熟產品的供給,價格回落的速度也可能比較快。

NAND 與儲存概念股:SanDisk、鎧俠、希捷、威騰

很多人談記憶體只看三巨頭,但 AI 資料中心同時需要大量儲存空間。訓練資料、模型檔案、推論產生的紀錄都要存起來,這讓企業級 SSD(eSSD)和大容量硬碟在 2026 年同樣供不應求。

TrendForce 的 2026 年第 2 季 NAND 營收排名顯示,前 5 大 NAND 品牌合計營收 688.7 億美元,季增 77%。

廠商2026 Q2 NAND 營收(億美元)季增
三星230.670.7%
SK 集團
(含 Solidigm)
142.789.5%
美光118.599.2%
鎧俠107.279.9%
SanDisk89.750.7%

儲存概念股比較表

SanDisk鎧俠希捷威騰電子
代號SNDK
(美股)
285A.T
(日股)
STX
(美股)
WDC
(美股)
主力產品NAND、SSDNAND、SSD硬碟硬碟
市值(美元)2,142 億1,514 億1,699 億1,425 億
最新一季營收89.65 億美元1.767 兆日圓36.29 億美元37.47 億美元
毛利率84.6%80%52.3%54.1%
近 12 個月本益比約 20.1 倍約 20.8 倍約 53.8 倍約 14.1 倍
距 52 週高點-37%-60%-35%-52%
本益比取自 Yahoo Finance,2026年10月14日查詢;毛利率為 GAAP,鎧俠為公司公布數字

SanDisk(SNDK)是什麼公司?AI 帶動轉型的 NAND 專業廠

SanDisk(台灣譯名晟碟,中國大陸稱閃迪)是美國的 NAND Flash 與固態硬碟(SSD)廠,2025年2月21日從威騰電子分拆後獨立上市。

好在哪?

  • 和鎧俠共用產能與技術:根據 SanDisk 2026 財年年報,它和鎧俠合資經營 Flash Ventures,SanDisk 持股 49.9%,在日本四日市有 6 座廠、北上有 2 座廠,雙方各取得約一半產出,共用 BiCS 3D NAND 技術;合約已在 2026年1月延長到 2034 年底。不用自己蓋廠,就有全球前段班的 NAND 產能
  • 資料中心成長最快:2026 財年第 4 季財報顯示,資料中心營收 29.77 億美元,單季成長 103%,已占總營收約三分之一
  • 新商業模式鎖定客戶:4月以來簽下 5 份新商業模式(NBM)協議,其中 3 份是新客戶,客戶預付款換取供貨保障
  • 布局 HBF:和 SK 海力士共同推動高頻寬快閃記憶體(HBF)標準化,搶 AI 推論的新記憶體層

最新財報:2026 財年第 4 季(截至2026年7月3日)營收 89.65 億美元,年增 372%,毛利率 84.6%;2027 財年第 1 季營收指引 103 億至 108 億美元。

投資優點

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  • 純 NAND 標的,最直接受惠企業級 SSD 需求
  • 新增 140 億美元的庫藏股回購授權,總額度達 155 億美元
  • 近 12 個月本益比約 20 倍,以這種成長速度來看不算貴

投資缺點

  • 只做 NAND,沒有 DRAM 和 HBM,NAND 價格一反轉,獲利就直接受影響
  • Edge(手機、PC 等裝置端)和消費性部門合計還占約三分之二營收,摩根士丹利 7月提醒消費級 NAND 的漲幅遠小於企業級 SSD
  • 產能全部來自和鎧俠的合資廠,擴產決策要雙方同意
  • 股價波動大,距 52 週高點跌 37%,10月12日長鑫消息出來時,明明不做 DRAM 也跌了近 6%

適合誰:看好 AI 帶動企業級 SSD 需求、想要純 NAND 曝險的美股投資者。

鎧俠(Kioxia,285A.T)

鎧俠(Kioxia)是日本的 NAND Flash 廠,前身是東芝記憶體,2024年12月在東京證交所上市,和 SanDisk 共用 Flash Ventures 的產能與 BiCS 技術。

好在哪?

  • 獲利能力高:TrendForce 整理的鎧俠財報顯示,2026 財年第 1 季毛利率 80%,營業利益率 75%
  • 長約比例高:目標 2028 年有 50% 出貨量由長期合約(LTA)鎖定,降低報價波動的衝擊
  • 技術持續推進:和 SanDisk 共同開發的 332 層 BiCS10 NAND 鎖定 PCIe Gen6 的下一代 SSD

最新財報:2026 財年第 1 季(2026年4月至6月)營收 1.767 兆日圓,年增 415.5%;第 2 季營收指引 2.39 兆日圓,11月公布。

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投資優點

  • 營收指引仍在大幅成長,第 2 季預估季增 35%
  • 長約目標明確,獲利能見度比同業高
  • 股價已從高點修正約六成,評價壓力比上市初期小

投資缺點

  • 2026 年第 2 季 NAND 營收排名被美光超越,從第 3 名掉到第 4 名
  • 股價波動是十大記憶體股中最大的,10月13日單日跌 13.3%
  • 只在東京掛牌,台灣、馬來西亞投資人需要能交易日股的券商
  • 第 1 季淨利 8,421 億日圓,低於市場預期和公司指引

適合誰:能交易日股、看好 NAND 長約模式,也能承受高波動的投資者。

希捷(STX):近線硬碟產能已全數分配

希捷(Seagate)是全球兩大傳統硬碟(HDD)廠之一。嚴格來說硬碟不是半導體記憶體,但大型雲端業者存放冷資料時,大容量硬碟的每 TB 成本仍遠低於 SSD,所以希捷也被視為 AI 儲存概念股,並被納入記憶體 ETF「DRAM」的持股。

好在哪?

  • 產能賣光:執行長 Dave Mosley 今年 1月就表示,希捷 2026 年的近線硬碟產能已全數分配,並和大型雲端客戶簽有能見度到 2027 年的長期協議
  • 技術領先:主打 HAMR 熱輔助磁記錄技術的 Mozaic 平台,提高單顆硬碟容量

最新財報:希捷 2026 財年第 4 季財報(截至2026年7月3日)營收 36.29 億美元,年增約 49%,GAAP 毛利率 52.3%;下一季營收指引 41 億美元。

投資優點

  • 硬碟需求和 AI 資料量直接相關,訂單能見度高
  • 硬碟產業只剩希捷、威騰兩大廠,供給紀律比記憶體好

投資缺點

  • 毛利率約 52%,比 NAND、DRAM 原廠低得多
  • 近 12 個月本益比約 53.8 倍,是名單中最貴的之一
  • 長期面臨 SSD 價格下降後取代硬碟的風險

適合誰:看好 AI 資料儲存需求、偏好供給結構較穩定產業的美股投資者。

威騰電子(WDC):分拆後的純硬碟公司

威騰(Western Digital Corporation)在 2025年2月把 SanDisk 分拆出去後,成為純硬碟公司,分拆時保留的 SanDisk 股權也已在 2026 財年處分完畢。

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好在哪?

  • 專注雲端硬碟:分拆後營收集中在資料中心用的大容量硬碟
  • 獲利穩定成長:威騰 2026 財年第 4 季財報營收 37.47 億美元,年增 44%,GAAP 毛利率 54.1%,略高於希捷

最新財報:2026 財年第 4 季營收 37.47 億美元;2027 財年第 1 季營收指引 41 億美元,上下 1 億美元。

投資優點

  • 近 12 個月本益比約 14.1 倍,比希捷便宜許多
  • 處分 SanDisk 股權後,資產負債表更單純

投資缺點

  • 財報各項數字都優於預期,股價卻跌了 11%,市場擔心它在 HAMR 技術上落後希捷
  • 距 52 週高點跌 52%,波動不小

適合誰:想要硬碟產業曝險、偏好較低本益比的美股投資者。

另外,中國的長江存儲(YMTC)是全球主要 NAND 廠之一,目前尚未上市。

HBM 概念股有哪些?美股、韓股與台灣供應鏈

HBM 概念股是指設計、生產、封裝或提供設備給高頻寬記憶體(HBM)的公司。HBM 是把多顆 DRAM 晶片垂直堆疊、再透過矽穿孔(TSV)連接的記憶體,是輝達、AMD AI 晶片不可缺少的元件。

能大量生產 HBM 的只有三家,美光也是 HBM 概念股:

公司2026 Q2 HBM 市占季變化HBM4 進度
SK 海力士50%-8 個百分點第 2 季開始量產出貨,
下半年放量
三星33%+12 個百分點2026年2月最早量產出貨,
供應輝達 Vera Rubin
美光18%-3 個百分點2026 年第 1 季量產出貨,
供應輝達 Vera Rubin

Counterpoint 的分析指出,目前 HBM 營收仍以 HBM3E 為主,HBM4 單價明顯較高,會從 2026 年下半年開始成為主要貢獻。美光已鎖定 2027 年大部分的 HBM 供貨量,價格也比 2026 年更高。

HBM 供應鏈還包括:

  • 台積電:HBM4 開始把底層的邏輯晶片交給晶圓代工廠生產,SK 海力士與台積電合作開發
  • 韓美半導體(042700.KQ):生產 HBM 堆疊需要的熱壓鍵合(TC bonder)設備,據報導是美光的供應商,市值約 158 億美元
  • 台灣 HBM 供應鏈:受惠股包括先進封裝的台積電、力成、京元電,以及晶圓檢測與先進封裝設備的萬潤、穎崴、旺矽

延伸閱讀:

記憶體設備與材料供應商

記憶體設備與材料供應商提供晶片製程、堆疊、封裝所需的關鍵設備與材料,例如沉積、蝕刻、微凸點技術等。

不管記憶體需求再怎麼高,沒有這些設備,晶片無法量產或達到高良率。

公司市值(美元)地區
Applied Materials
應用材料
(AMAT)
2081.3億美股
Lam Research
科林研發
(LRCX)
2071.8億美股
KLA
科磊
(KLAC)
1613.2億美股
Tokyo Electron
東京威力科創
(8035.T)
907.1億日股
Advantest
愛德萬測試
(6857.T)
910.4億日股

專用 / IP 設計與其他(Memory IC Design & IP)

設計專用記憶體晶片或提供記憶體 IP(授權技術),讓半導體廠能快速設計出符合特定應用(AI、汽車、嵌入式系統)的記憶體。

公司市值(美元)性質地區
Analog Devices
亞德諾半導體
(ADI)
1373.1億專用記憶體設計美股
Arm Holdings
安謀
(ARM)
1319.5億記憶體 IP 設計英國
Synopsys
新思科技
(SNPS)
866.4億記憶體 IP 設計美股
Texas Instruments
德州儀器
(TXN)
1617.9億專用 / 嵌入式記憶體美股

記憶體 ETF:DRAM ETF 成分股、規模與費用

Roundhill Memory ETF(代號 DRAM)2026年4月2日在美國 Cboe BZX 交易所上市,是全球第一檔專門投資記憶體股的 ETF。它只買記憶體公司,定義是至少 50% 營收或利潤來自 HBM、DRAM、NAND Flash 與 SSD、NOR Flash、硬碟或特殊與嵌入式記憶體的企業。

DRAM 上市後資金湧入的速度創下紀錄。路透 2026年5月13日報導,它只花約 10 個交易日就吸金 10 億美元,市場人士稱它是史上最成功的 ETF 上市案例,每個階段的吸金速度都超過 2024 年上市的貝萊德比特幣 ETF。盈透證券策略師 Steve Sosnick 在報導中說,很多投資人把 DRAM 當成買韓股的替代管道。

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規模在 2026 年第 3 季一度衝到約 270 億美元,之後隨記憶體股回檔轉為資金流出。Benzinga 9月15日報導,DRAM 連續 14 個交易日淨流出,30 天流出超過 19.7 億美元;官網最新顯示的規模為 213.1 億美元。

項目數據
收盤價52.84 美元(2026年10月13日)
52 週區間26.14 至 81.34 美元
ETF 規模213.1 億美元
上市日期2026年4月2日
總內扣費用0.65%
持股數22 檔
管理方式主動管理(原則上每季再平衡)
配息頻率每年一次(首次除息日 2026年12月30日)
30 天 SEC 殖利率0.94%(截至 2026年9月30日)
選擇權有
數據整理自 Roundhill 官網 DRAM 頁面,52 週區間來自 Stock Analysis

近期回報

期間回報
成立以來
(截至 2026年9月30日)
+113.74%
2026年10月13日單日-3.44%
距 52 週高點
(10月13日收盤)
約 -35%

前 10 大持股(截至 2026年10月13日)

排名公司主要產品比重
1美光DRAM、NAND、HBM27.54%
2三星電子DRAM、NAND、HBM25.09%
3SK 海力士DRAM、NAND、HBM21.45%
4長鑫科技DRAM5.06%
5SanDiskNAND4.69%
6希捷硬碟4.49%
7威騰電子硬碟3.54%
8鎧俠NAND3.14%
9南亞科DRAM2.68%
10華邦電利基型 DRAM、NOR Flash1.18%

把前 10 大持股按國家拆開,韓股(三星、SK 海力士)約 46.5%,美股(美光、SanDisk、希捷、威騰)約 40.3%,中國(長鑫)約 5.1%,台股(南亞科、華邦電)約 3.9%,日股(鎧俠)約 3.1%。韓股占比最高,所以韓元匯率和韓國股市的情緒,也會影響 DRAM 的表現。

優點

  • 一檔買到記憶體全產業:三巨頭、長鑫、NAND 廠、硬碟廠和台灣利基型 DRAM 都在裡面。三星、SK 海力士的韓國本地股,在多數海外券商不容易直接買,DRAM 提供了一個用美股帳戶就能買到的管道
  • 涵蓋中國記憶體:透過總報酬交換合約持有長鑫科技。長鑫 2026年7月27日在上海科創板掛牌,開盤價較承銷價 8.66 元人民幣大漲 470%,一般海外投資人很難直接買到 A 股
  • 主動管理有調整空間:經理人可以依產業變化調整持股比重,不必死守指數權重
  • 流動性好:30 天中位數買賣價差只有 0.02%,也有掛牌選擇權,可以用來避險

缺點

  • 極度集中:前 3 大持股合計約 74%,走勢基本上跟著美光、三星、SK 海力士三家。記憶體報價一旦反轉,跌幅可能比全產業鏈的半導體 ETF 大很多
  • 使用衍生品:Roundhill 表示,部分持股透過總報酬交換合約(Total Return Swap)持有,是為了符合美國稅法對受監管投資公司(RIC)的分散要求。交換合約有交易對手風險,基金也要把部分資產放在美國短期國庫券當擔保,Stock Analysis 統計國庫券部位約占 17.5%
  • 費用率較高:內扣費用 0.65%,約是 VanEck 半導體 ETF(SMH)0.35% 的近 2 倍
  • 波動非常大:上市半年內,股價最高漲到 81.34 美元,10月13日收在 52.84 美元,從高點回落約 35%。記憶體是半導體裡週期最強的一段,DRAM 還沒經歷過完整的記憶體下行週期
  • 配息有稅務成本:DRAM 是美國註冊的 ETF,非美國投資人收到的配息一般會被預扣 30% 股息稅

適合誰:看好記憶體供不應求能延續、想一次布局全球記憶體股,又能承受單一產業大幅波動的投資者。

Roundhill 另有 2 倍槓桿版本 RAM,追求 DRAM 單日報酬的 2 倍,屬於每日重設的槓桿 ETF,持有越久,實際報酬和 2 倍越容易出現落差,不適合長期持有。

其他記憶體 ETF

DRAM 爆紅後,其他發行商也陸續推出記憶體主題 ETF。ETF.com 2026年7月8日整理:

ETF發行商上市日期內扣費用成立以來表現
HBMXTuttle Capital2026年6月2日0.95%+0.12%
DISKTema2026年6月30日0.75%-18.02%
KMEMKurv2026年7月1日0.65%-19.58%
數據截止2026年10月13日

這幾檔上市時間更短、規模也遠小於 DRAM,選擇時可以比較持股組成、費用和流動性。

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台灣記憶體概念股有哪些?

台灣記憶體概念股可以分成 5 個族群。原廠對報價最敏感,模組廠的獲利則很看庫存,在景氣反轉時通常最先受傷。

族群代表個股受惠邏輯景氣反轉時
DRAM 原廠南亞科、華邦電、力積電報價上漲直接推升毛利率報價下跌直接壓縮獲利
NOR Flash 與利基型旺宏、華邦電、晶豪科、鈺創三大廠退出舊規格,供給減少規模小,價格競爭壓力大
控制 IC群聯、慧榮企業級 SSD 需求增加跟著 NAND 出貨量下滑
模組廠威剛、創見、宜鼎、十銓、宇瞻低價庫存在漲價時產生庫存利益庫存跌價損失,通常最先反應
封測與設備力成、南茂、京元電、萬潤HBM 與先進封裝產能擴張看原廠資本支出是否縮減

台灣記憶體股比較表

公司族群市值
(美元)
最新一季 EPS
(新台幣)
近 12 個月本益比距 52 週高點
南亞科DRAM 原廠524 億25.4 元
(Q3)
約 19.7 倍-14%
華邦電DRAM、
NOR Flash
231 億5.4 元
(Q2)
約 19.2 倍-29%
群聯控制 IC、SSD136 億118.57 元
(Q2)
約 9.8 倍-31%
力積電記憶體與
邏輯代工
102 億0.76 元
(Q2)
約 22.2 倍-27%
慧榮控制 IC84 億3.99 美元
(Q2,每單位 ADS)
約 28.9 倍-31%
力成記憶體封測68 億3 元
(Q2)
約 30.3 倍-22%
旺宏NOR Flash、
利基型 NAND
68 億3.91 元
(Q2)
約 27.7 倍-43%
萬潤先進封裝設備47 億上半年 11.9 元約 86.5 倍-7%
創見記憶體模組37 億27.70 元
(Q2)
約 5.0 倍-28%
宜鼎工控與
嵌入式儲存
36 億—約 7.0 倍-40%
威剛記憶體模組36 億32.39 元
(Q2)
約 4.7 倍-31%
南茂記憶體封測25 億1.28 元
(Q2)
約 37.0 倍-12%
本益比取自 Yahoo Finance,2026年10月14日查詢;EPS 為各公司最新公布的單季數字

模組廠威剛、創見、宜鼎的本益比只有 5 至 7 倍,是名單中最低的。原因是記憶體漲價時,它們手上的低價庫存帶來大量庫存利益,獲利暴增;但這種獲利在報價反轉時也會最先消失,低本益比反而反映市場不相信這樣的獲利能持續。

南亞科(2408):台灣最大 DRAM 廠

南亞科(Nanya Technologies)是台塑集團旗下的 DRAM 廠,產品以 DDR4、DDR5 等標準型與利基型 DRAM 為主,是台灣唯一規模接近國際大廠的 DRAM 原廠。

好在哪?

  • 毛利率和國際大廠同一水準:南亞科 10月12日法說會公布,第 3 季毛利率 85.7%,營益率 80%,雙創新高
  • 受惠三大廠退出 DDR4:三星、SK 海力士把產能轉向 HBM 和 DDR5 後,DDR4 供給大減,南亞科是主要受惠者。依照 JEDEC 制定的 DDR4 規範,DDR4 產品本身並不允許整合 ECC 電路。這使得一線大廠一旦製程跨入13 奈米以下,就幾乎不可能再回頭生產標準 DDR4。結果是,原本占據市場主流的大型 DRAM 廠陸續退出 DDR4 產線,供給快速收縮,問題在於,市場逐漸轉為由少數仍停留在成熟製程的廠商支撐。
  • 轉向 AI:AI 基礎設施相關應用已占營收逾兩成;新廠 2027 年第 1 季開始裝機,目標 2028 年底每月投片 3 萬片,並規劃在屏東建置 3D 晶圓封測廠。

最新財報:2026 年第 3 季營收新台幣 1,336.5 億元,季增 61.9%,年增 611.7%;每股盈餘 25.4 元。

投資優點

  • 台股中最直接的 DRAM 報價受惠股,用一般台股帳戶就能買
  • 距 52 週高點只跌 14%,是這輪修正中最抗跌的記憶體股之一

投資缺點

  • 第 3 季銷售量季減 4% 至 6%,成長幾乎全部來自漲價,報價一回落,獲利會直接受影響
  • 產品以標準型 DRAM 為主,和長鑫正面競爭,長鑫 4F² 若順利量產,南亞科首當其衝
  • 新廠 2027 年才開始裝機,產能擴張比三巨頭慢

適合誰:想用台股參與 DRAM 報價循環、能接受股價跟著報價大起大落的投資者。

華邦電(2344):利基型 DRAM 與 NOR Flash 雙引擎

華邦電(Winbond)同時生產利基型 DRAM 與 NOR Flash,也持有晶片設計公司新唐的股權,是台灣少數同時經營兩種記憶體的公司。

好在哪?

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  • 兩種記憶體同時受惠:利基型 DRAM 和 NOR Flash 都因三大廠退出舊規格而缺貨
  • 產能滿載:華邦電 2026 年第 2 季財報顯示,產能利用率 100%,記憶體業務毛利率 70.3%

最新財報:2026 年第 2 季營收新台幣 598.4 億元,季增 56.4%;每股盈餘 5.4 元,上半年每股盈餘 7.65 元。

投資優點

  • 業務比南亞科分散,NOR Flash 有車用、工控等穩定需求
  • 本益比約 19 倍,和南亞科相近

投資缺點

  • 合併營收包含新唐等邏輯 IC 業務,整體毛利率 66.2%,低於純記憶體廠
  • 規模比國際大廠小,議價能力有限

適合誰:想參與記憶體行情、但希望業務比純 DRAM 廠分散一些的台股投資者。

力積電(6770):記憶體代工+3D 堆疊新事業

力積電(Powerchip Semiconductor Manufacturing,PSMC)是晶圓代工廠,替客戶生產 DRAM、Flash 與邏輯晶片,DRAM 已占營收一半以上。

好在哪?

  • 代工價格大漲:力積電第 2 季法說會表示,7月起 DRAM 投片價格調漲約 45%,從 10月開始反映在營收與獲利;邏輯代工價格也調漲 10% 至 15%
  • 3D AI 代工新事業:4 層 DRAM 晶圓堆疊(WoW)已通過主要客戶驗證,和美光合作的 PWF 技術預計 2027 年第 4 季量產;目標三年內把 3D AI 代工的營收占比從約 5% 拉到 20%

最新財報:2026 年第 2 季營收新台幣 172.9 億元,季增 27%;毛利率 28%,每股盈餘 0.76 元。

投資優點

  • 第 3 季起才開始反映 DRAM 代工漲價,獲利還在往上走
  • 3D 堆疊技術和 HBM 的晶圓堆疊概念相近,是台灣少數有相關能力的代工廠

投資缺點

  • 毛利率 28%,遠低於記憶體原廠,屬於代工角色,議價能力有限
  • 上半年每股盈餘 4.08 元有很大一部分來自出售銅鑼廠的一次性收益,第 2 季本業 EPS 只有 0.76 元
  • 3D AI 代工仍在早期,貢獻還小

適合誰:看好記憶體代工漲價與 3D 堆疊新事業、能接受獲利起伏較大的投資者。

群聯(8299):NAND 控制 IC 與 SSD 大廠

群聯(Phison)設計 SSD 的控制 IC,也直接生產 SSD 與儲存模組賣給品牌客戶。控制 IC 是 SSD 的大腦,負責管理資料寫入哪一顆 NAND、怎麼糾錯。

好在哪?

  • 控制 IC+模組兩頭賺:漲價時,模組業務有庫存利益,控制 IC 業務則受惠 SSD 出貨增加
  • 獲利爆發:群聯 2026 年第 2 季財報毛利率 65.3%,單季稅後純益 262.2 億元,年增約 35 倍

最新財報:2026 年第 2 季營收新台幣 678.9 億元,季增 65.7%;每股盈餘 118.57 元,上半年每股盈餘 187.43 元,上半年擬配發現金股利 60 元。

投資優點

  • 近 12 個月本益比約 9.8 倍,在台股記憶體股中偏低
  • 配息大方,上半年就擬配 60 元
  • 布局 AI 儲存與邊緣 AI 平台

投資缺點

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  • 自己不生產 NAND,要向原廠買晶片,缺貨時拿貨能力受限
  • 第 2 季營業費用增加到 179.7 億元,研發與人事成本上升
  • 獲利有一部分來自庫存利益,NAND 跌價時會反轉

適合誰:看好 SSD 需求、偏好較低本益比與配息的台股投資者。

慧榮(SIMO):在美股掛牌的控制 IC 廠

慧榮(Silicon Motion )總部在台灣、在美股那斯達克掛牌,是全球主要的 NAND 控制 IC 設計公司,客戶包括手機、PC 與 SSD 品牌。

好在哪?

  • 營收高速成長:慧榮 2026 年第 2 季財報營收 4.51 億美元,年增 127%,毛利率 50.2%
  • 切入企業級 SSD:推出 MonTitan PCIe Gen5 企業級 SSD 控制 IC,PCIe Gen6 也在開發中

最新財報:2026 年第 2 季營收 4.51 億美元,第 3 季營收指引 5.19 億至 5.41 億美元,季增 15% 至 20%。

投資優點

  • 每單位 ADS 年配息 2 美元,分 4 季發放,殖利率約 0.8%,在記憶體股中偏高
  • 台灣公司、美股掛牌,台灣、馬來西亞投資人用美股帳戶就能買

投資缺點

  • 執行長表示企業級產品「還在早期階段」,營收主力仍是消費性 SSD 與手機
  • 三星等原廠自己設計控制 IC,慧榮的客戶以模組廠與品牌商為主
  • 近 12 個月本益比約 28.9 倍,比群聯高很多

適合誰:想用美股帳戶參與台灣記憶體供應鏈、重視配息的投資者。

力成(6239):全球主要記憶體封測廠

力成(Powertech Technology,PTI)是全球最大的記憶體封測廠之一,替記憶體原廠做封裝與測試,NAND 和 DRAM 合計約占營收四成五。

好在哪?

  • 為 HBM 打底:力成第 2 季法說會表示,DDR5 矽穿孔(TSV)製程已完成試產,2026 年第 4 季量產,為 HBM 生產技術打下基礎
  • 切入 AI 先進封裝:已成為 AMD AI 晶片的先進封裝供應鏈夥伴,並和博通在新加坡合資開發共同封裝光學(CPO)

最新財報:2026 年第 2 季營收新台幣 231.2 億元,季增 8.5%,創近三年新高;毛利率 21.8%,每股盈餘 3 元。

投資優點

  • 記憶體封測需求跟著原廠擴產增加,比原廠受報價波動的影響小
  • AI 先進封裝與 CPO 提供記憶體以外的成長動能

投資缺點

  • 毛利率約 22%,封測業的獲利彈性比記憶體原廠小很多
  • 封裝材料成本上升,要靠漲價轉嫁給客戶
  • 近 12 個月本益比約 30 倍

適合誰:想參與記憶體產業、但偏好波動較小的封測環節,也看好 AI 先進封裝的投資者。

旺宏(2337):NOR Flash 與利基型 NAND

旺宏(Macronix,MXIC)是全球主要的 NOR Flash 廠,也生產 SLC NAND、eMMC 與 ROM,產品大量用在車用、工控與網通設備。

好在哪?

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  • 兩種產品都缺貨:旺宏第 2 季法說會表示,SLC NAND 與 eMMC 仍處於結構性缺貨,大容量 NOR 也供不應求
  • 營收結構平衡:NOR Flash 占營收 48%,NAND 占 43%

最新財報:2026 年第 2 季營收新台幣 191.3 億元,季增 83%;毛利率 64.4%,每股盈餘 3.91 元,去年同期還虧損 0.69 元。

投資優點

  • 車用、工控需求比消費電子穩定
  • 追加 158 億元資本支出擴產,2027 年開始出貨車用 eMMC

投資缺點

  • 去年同期還在虧損,獲利波動非常大
  • 距 52 週高點跌 43%,是台灣記憶體股中跌幅較深的
  • 規模比國際大廠小很多

適合誰:看好利基型記憶體缺貨、能承受獲利大起大落的投資者。

萬潤(6187):先進封裝設備商

萬潤(Allring)生產半導體先進封裝的點膠、檢測等設備,主要客戶是 CoWoS 先進封裝產線,也被列入 HBM 相關設備受惠股。

好在哪?

  • 訂單能見度高:萬潤第 2 季末合約負債達 2.99 億元,季增約 304%,創歷史新高,管理層表示訂單能見度到 2027 年第 2 季
  • 客戶分散中:CoWoS 相關營收占比預估從 91% 降到 75%,日月光 8月也宣布向萬潤購買約 11.6 億元設備;CPO 設備預計 2026 年第 4 季交貨

最新財報:2026 年 1月至 8月營收年增 51.1%,上半年每股盈餘 11.9 元。

投資優點

  • 不直接受記憶體報價影響,賺的是原廠與封測廠擴產的錢
  • 距 52 週高點只跌 7%,是名單中最抗跌的一檔

投資缺點

  • 近 12 個月本益比約 86.5 倍,評價是名單中最高
  • 營收高度集中在 CoWoS,和記憶體的關聯是間接的
  • 新產品放量時,分析師預期毛利率會短暫下滑

適合誰:看好先進封裝擴產、能接受高本益比的成長型投資者。

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創見(2451):工控記憶體模組廠

創見(Transcend)生產記憶體模組、SSD 與記憶卡,近年重心轉向工業自動化與嵌入式應用。

好在哪?

  • 工控客戶黏著度高:創見持續深耕工控市場,客戶提前拉貨鎖定庫存
  • 單季獲利超過過去整年:第 2 季稅後淨利 119 億元,超過過去任何一個完整年度

最新財報:2026 年第 2 季營收新台幣 188.2 億元,季增 38.1%;每股盈餘 27.70 元,上半年每股盈餘 46.63 元。

投資優點

  • 近 12 個月本益比約 5 倍,是名單中最低之一
  • 長期配息穩定,工控客戶比消費性客戶穩定

投資缺點

  • 模組廠的獲利主要來自庫存利益,報價反轉時會最先受傷,低本益比正反映這個風險
  • 自己不生產記憶體晶片,拿貨要看原廠

適合誰:看好記憶體漲價延續、偏好低本益比與配息,也清楚模組廠週期風險的投資者。

威剛(3260):消費與電競記憶體模組大廠

威剛(Adata)是全球主要的記憶體模組與 SSD 品牌,董事長陳立白以積極囤貨的策略聞名。

好在哪?

  • 囤貨策略在漲價週期最賺:威剛 2026 年第 2 季財報稅後淨利 107.7 億元,年增超過 10 倍
  • 首度半年配息:上半年擬配發現金股利 18 元

最新財報:2026 年第 2 季營收新台幣 381.4 億元,年增 197.4%;毛利率 42.1%,每股盈餘 32.39 元,上半年每股盈餘 62.46 元。

投資優點

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  • 近 12 個月本益比約 4.7 倍,是名單中最低
  • 董事長認為三大廠 2027 年產能已售罄,DRAM 短缺會延續到 2027 年

投資缺點

  • 毛利率從第 1 季的約 56% 降到第 2 季的 42.1%,高價進貨的成本開始反映
  • 獲利高度依賴囤貨與報價,報價反轉時庫存跌價損失會很大
  • 摩根士丹利 7月的報告明確偏好原廠勝過模組廠

適合誰:看好記憶體報價持續上漲、能承受高槓桿式獲利波動的投資者。

宜鼎(5289):工控與邊緣 AI 儲存

宜鼎(Innodisk)專做工業電腦、伺服器與邊緣 AI 用的嵌入式儲存與記憶體模組,客戶結構和消費型模組廠不同。

好在哪?

  • 營收倍數成長:宜鼎第 2 季營收 224.4 億元,季增 70.3%,年增 641.1%
  • 切入 AI 伺服器:伺服器開機碟已占 SSD 營收約一成,PCIe Gen5 企業級 SSD 與 CXL 記憶體模組已進入客戶驗證,子公司安提(Aetina)做邊緣 AI 運算平台

最新財報:2026 年第 2 季營收新台幣 224.4 億元;8月營收 86.8 億元,年增 576%。

投資優點

  • 工控客戶的需求比消費電子穩定,產品單價與毛利率較高
  • 近 12 個月本益比約 7 倍

投資缺點

  • 記憶體漲價後,部分工業電腦客戶的採購態度轉趨保守
  • 距 52 週高點跌 40%,波動大
  • 同樣是模組廠,報價反轉時有庫存跌價風險

適合誰:看好工控與邊緣 AI、偏好利基市場模組廠的投資者。

南茂(8150):記憶體與驅動 IC 封測

南茂(ChipMOS)是記憶體與面板驅動 IC 的封測廠,記憶體封測是主要成長動能。

好在哪?

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  • 獲利回升:南茂第 2 季獲利年增 2.6 倍,每股盈餘 1.28 元,創四年新高
  • 跟著原廠擴產受惠:記憶體封測需求隨原廠出貨增加

最新財報:2026 年第 2 季每股盈餘 1.28 元。

投資優點

  • 距 52 週高點只跌 12%,相對抗跌
  • 不直接承擔記憶體報價風險

投資缺點

  • 每股盈餘的絕對金額小,近 12 個月本益比約 37 倍
  • 面板驅動 IC 業務成長性較低,會稀釋記憶體的成長

適合誰:想參與記憶體封測、偏好波動較小的投資者。

其他值得留意的台股

  • 十銓(4967)、宇瞻(8271):記憶體模組廠,十銓偏電競市場,宇瞻偏工控
  • 晶豪科(3006)、鈺創(5351):利基型記憶體 IC 設計公司,晶豪科 2026年8月營收79.05 億元,年增 605%
  • 華東(8110)、京元電(2449):記憶體封裝與測試

延伸閱讀:

如何投資記憶體概念股?

記憶體概念股分布在美股、韓股、日股、陸股和台股,可以依自己能開的帳戶選擇:

  • 美股:美光(MU)、SanDisk(SNDK)、希捷(STX)、威騰(WDC)、慧榮(SIMO),以及 SK 海力士 ADR(SKHY)
  • 韓股、日股:三星、SK 海力士、鎧俠需要能交易韓股、日股的券商
  • 台股:南亞科、華邦電、群聯等,台灣投資人用一般證券戶即可;海外投資人需要能交易台股的國際券商
  • ETF:DRAM ETF 一檔涵蓋三巨頭、長鑫與儲存股

台灣投資人買美股,可以選擇國內券商複委託或海外券商;馬來西亞投資人建議選擇受馬來西亞證券委員會(SC)監管的平台。

Interactive Brokers 在 2023年7月開放台股交易、2026年5月開放韓股交易,加上原有的美股與日股,適合想用同一個帳戶交易多個市場記憶體股的投資者。

記憶體概念股為什麼大漲?AI 引爆的記憶體荒

記憶體(DRAM、NAND、HBM)是決定 AI 運算速度、成本和供應鏈風險的關鍵零件。2025 年下半年起,AI 伺服器的需求讓三種記憶體同時缺貨。瑞銀 2026年7月的報告形容這輪供需失衡是近 30 年少見,野村則認為這波超級週期從 2025 年下半年開始,至少會延續到 2027 年底。這輪行情可以從 4 個原因來看。

1. AI 資料中心搶貨,記憶體荒從 2025 年底開始

路透社 2025年12月3日的報導指出,全球正出現前所未見的記憶體短缺,AI 公司和消費電子品牌在搶快速縮水的庫存。日本電器行開始限制每位客人能買的硬碟數量,中國手機品牌警告要漲價,Microsoft、Google、字節跳動則急著向三星、美光、SK 海力士要貨。2025年10月,Google、Amazon、Microsoft、Meta 甚至向美光下了不設上限的訂單,表示能交多少就要多少,不論價格。

SK 集團會長崔泰源在同一篇報導中警告,如果供不上貨,這些科技公司可能面臨完全無法做生意的局面;SK 海力士也告訴分析師,記憶體短缺會延續到 2027 年底。

庫存數字最能看出缺貨有多嚴重。TrendForce 的統計顯示,全球 DRAM 平均庫存從 2025 年第 3 季的 3.3 週,降到第 4 季初只剩 2.7 週,SK 海力士約 2 週、三星約 4 週,遠低於約 8 週的健康水位。

零售端也跟著搶。自由財經引述日本 AKIBA PC Hotline 的報導,2025年11月秋葉原已有電腦店對 SSD、硬碟和記憶體祭出限購,其中一家每人最多只能買 2 顆 SSD 或硬碟、4 條記憶體,部分 DDR5 記憶體價格幾乎翻倍。路透引述 TrendForce 數據,部分記憶體品項的價格自 2025年2月以來已經漲了一倍以上。

2. HBM 吃掉 DRAM 產能

HBM 是把多顆 DRAM 堆疊起來的產品。摩根士丹利 2026年7月的報告指出,生產一片 HBM 晶圓所消耗的面積,約等於 3 片 DDR5 晶圓,而 2026 年的 HBM 產能已經全數售罄。原廠把產能優先給利潤更高的 HBM,一般 DRAM 的供給就變少。

HBM 和伺服器 DRAM 搶走產能後,手機、PC 用的標準型 DRAM 跟著缺貨;原廠的資本支出又優先投入 DRAM 和 HBM,NAND 的新產能有限。這是這一輪 DRAM、NAND、HBM 三種記憶體同時漲價的原因。

3. OpenAI 星際之門計畫預訂產能

OpenAI 2025年10月1日宣布,三星和 SK 海力士加入星際之門(Stargate)計畫,兩家公司將加速擴產,目標每月 90 萬片 DRAM 晶圓投片。TrendForce 引述韓國媒體的估算,這個數字相當於全球 DRAM 產出的四成,也超過當時全球 HBM 月產能的兩倍。單一客戶預訂這麼大的產能,讓市場相信 AI 對記憶體的需求會延續好幾年。

4. 雲端資本支出持續上修,記憶體需求跟著放大

大型雲端業者的資本支出預估一路上修。摩根士丹利 2026年8月把 2026 年的預估從 7,650 億美元上調到約 8,050 億美元,2027 年則上看約 1.2 兆美元。

記憶體廠的營收預估也跟著放大。瑞銀 2026年7月預估,全球記憶體產業營收將從 2026 年的 9,920 億美元增加到 2027 年的 1.76 兆美元;2027 年需求成長約 36.2%,供給只成長 19.3%,DRAM 供需緊張至少會延續到 2028 年上半年。三年前記憶體還是低利潤的大宗商品,現在已經是 AI 硬體裡最賺錢的零件之一。

獲利能力的改變也反映在股東權益報酬率(ROE)上。瑞銀 2026年3月16日的報告預估,三星、SK 海力士、美光 2026 至 2030 年的平均 ROE 可達 36%,過去十年平均只有 15%。瑞銀認為 ROE 已經被結構性重置,理由是 HBM 占用的 DRAM 晶圓產能越來越多,HBM 晶片尺寸也比一般 DDR 大,每生產一單位 HBM 要消耗更多產能,供給因此更緊。

摩根士丹利 2026年7月2日的全球科技報告則提醒,AI 雖然延長了這波上行週期,但行情會從普漲轉向分化:原廠優於模組廠、DRAM 優於 NAND,投資人要分辨哪些公司握有定價能力與供給紀律。從前面的跌幅表也看得出這種分化:同樣在修正,南亞科距高點只跌 14%,NAND 廠鎧俠和模組廠宜鼎則跌了四到六成。

記憶體股為什麼大跌?2026年10月拋售的 4 個原因

2026年10月12日,費城半導體指數下跌 2.67%,美光下跌 3.88%、SanDisk 下跌 5.97%。韓國先驅報報導,10月13日 KOSPI 指數再跌 5.46%,收在 6,035 點,盤中一度跌破 6,000 點,SK 海力士單日跌 10.1%、三星跌 7.4%;鎧俠同日在東京跌 13.3%。這輪拋售由好幾個因素疊加而成,下面逐一說明。

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1. 三星財報亮眼卻下跌:市場開始交易盈利見頂

三星 2026年10月8日公布的第 3 季初步財報顯示,營收約 195 兆韓元、營業利益約 107.4 兆韓元,落在預估區間上緣。照理說是利多,三星股價卻從財報前的 262,000 韓元,兩個交易日跌到 232,000 韓元。

原因在於漲價速度開始放慢。路透 10月7日的報導引述 SK 證券分析師的預估,三星記憶體部門第 3 季營業利益率約 76%,和第 2 季持平;TrendForce 則預估第 4 季標準型 DRAM 合約價季增 10% 至 15%,第 2 季的漲幅是約 60%。獲利還在成長,但成長的斜率變平,股價通常會比盈利更早反應。

2. 三星與 SK 海力士回購結束,韓股失去托底

三星與 SK 海力士今年 8月起執行合計約 400 億美元的庫藏股回購,是推升韓股的主要買盤之一。韓國時報 9月底的統計顯示,兩家公司買進的速度很快,預計會比原訂的 11月提前在 10月中完成。

結果三星 10月6日完成回購,SK 海力士也進入尾聲。回購結束那一週,KOSPI 下跌 5.39%,外資三個交易日賣超 6.47 兆韓元,其中 SK 海力士就占 3.64 兆韓元。韓股在這輪上行週期領漲,修正時也最先破位,SK 海力士目前距 52 週高點已跌逾五成。

3. 長鑫 4F² DRAM 架構:威脅有多大?

長鑫科技總裁曹堪宇在 2026年10月9日至10日的集成芯片和芯粒大會上宣布,公司在 4F² DRAM 架構取得關鍵進展,預計年底前推出採用 4F² 與混合鍵合技術的 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。

目前 DRAM 主流是 6F² 架構,F 代表製程的最小線寬。4F² 讓每個記憶單元的面積縮小約三分之一,理論上同樣一片晶圓可以做出更多容量,單位成本更低。長鑫的做法是用自研的垂直包圍閘極(VSG)電晶體,把電晶體從水平改成垂直排列。相比之下,TrendForce 引述 The Elec 的報導,三星的 4F² DRAM 目標在 2028 年移轉量產。

市場擔心的是,如果長鑫能用更低成本切入高毛利的伺服器記憶體市場,三大原廠的利潤率會被壓縮。分析師對威脅程度的看法不一:

長鑫這次瞄準的是一般伺服器用的 DDR5,不是 HBM。SanDisk 只生產 NAND,跟 DRAM 架構沒有直接關係,10月12日卻跌得比美光還深,顯示資金是把整個板塊一起賣。長鑫的市占率也還有差距,中央社引述 Counterpoint Research,長鑫 2026 年第 2 季 DRAM 市占約 7%,排名全球第 4。

4. AI 資本成本上升:投資人開始追問回報

記憶體股的修正,也是整個 AI 硬體交易降溫的一部分。同一時間發生的幾件事,讓市場開始質疑巨額資本支出能否轉成實際收益:

AI 需求目前並沒有轉弱。摩根士丹利預估大型雲端業者 2027 年資本支出約 1.2 兆美元,高盛的預估更高,上看 1.4 兆美元。市場已經知道需求很強,現在想知道的是這股需求能撐到哪一年。

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延伸閱讀:

記憶體超級週期見頂了嗎?看懂 4 個週期指標

記憶體是週期性極強的產業:缺貨時價格暴漲、廠商大賺,接著擴產;新產能開出或下游開始消化庫存後,價格反轉、獲利下滑。2000 年、2016 年、2019 年和 2022 年都走過這個循環。

這一輪和過去相比,AI 伺服器的需求比手機、PC 穩定,長期合約也比較多,價格反轉的時間可能比以往晚,但記憶體價格還是會循環。

記憶體還會漲價嗎?多空看法比較

來源時間看法
野村2025年12月超級週期至少延續到 2027 年底,有意義的新增供給最快 2028 年才出現
SK 集團會長崔泰源2026年3月業界供給缺口會維持在 20% 以上直到 2030 年
瑞銀2026年7月上調第 3 季、第 4 季 DRAM 合約價預估,DRAM 供需緊張至少延續到 2028 年上半年
摩根士丹利2026年7月21日記憶體合約價可能在 2026 年第 4 季見頂,但不預期產業崩跌
宏碁董事長陳俊聖2026年9月短缺不可能延續到 2030 年,PC 價格漲到 2026 年第 4 季,2027 年上半年持平、年中後回落
TrendForce2026年10月第 4 季標準型 DRAM 合約價季增 10% 至 15%,漲幅比第 2 季的約 60% 明顯放緩
摩根士丹利2026年10月13日新產能從 2027 年下半年開始陸續釋放,股價已反映樂觀情境

整理起來,2026 年第 4 季合約價仍在上漲,只是漲幅變小;各方看法的分歧在 2027 年下半年之後。記憶體股以前也常在報價還在漲的時候就先下跌,2018 年就比獲利高峰早約 8 個月見頂。

指標 1:合約價漲幅開始收斂

看報價不能只看漲或跌,要看漲幅有沒有變小。摩根士丹利 7月點出三個訊號:DRAM 合約價漲幅已從高點放緩、第 2 季 DRAM 與 NAND 庫存上升、盈利上修動能減弱。TrendForce 預估第 4 季標準型 DRAM 合約價季增 10% 至 15%,只有第 2 季漲幅的四分之一到六分之一。

不過瑞銀 2026年3月的研究分析過去約 20 年 10 次記憶體股高點,發現只有一半的情況下,股價和 DRAM 價格季漲幅的高峰落在同一季或相鄰季度;2009 年第 4 季、2013 年第 2 季、2017 年第 1 季這幾次,價格漲幅高峰都比股價高點早了 3 至 5 季。所以這個指標要和下面幾個一起看。

指標 2:營業利潤與盈利上修動能

同一份瑞銀研究建議改看營業利潤,因為它同時反映價格、出貨量與成本。過去 20 年,記憶體股約 90% 的情況會和營業利潤同時或提前見頂;2012 年之後,股價通常比營業利潤早 1 至 2 個季度見頂。

另一個可以追蹤的數字是分析師上修比例。摩根士丹利 7月統計,記憶體廠獲盈利上修的淨比例已從高峰的 92% 降到 77%。上修的人變少,代表預期開始追不上。

指標 3:本益比很低,反而要小心

一般股票本益比低代表便宜,記憶體股剛好相反。三星和 SK 海力士的遠期本益比只有約 3 至 4 倍,美光近 12 個月的本益比約 13.3 倍。

週期股在盈利高峰時,分母(每股盈餘)最大,本益比自然最低。摩根士丹利 10月13日的報告統計,2008 年和 2012 年記憶體股比盈利高峰提前約 4 個月見頂,2018 年提前約 8 個月。該行估算,若要支撐目前股價隱含的上漲空間,DRAM 合約價還需要再季增約 70%,對照 TrendForce 預估的第 4 季漲幅 10% 至 15%,差距很大。

指標 4:資本支出與新產能時程

高利潤一定會吸引擴產。這次要觀察的時間點:

  • 美光 2026 財年資本支出淨額 273.7 億美元
  • 三星 2026 年設備與研發投資至少 110 兆韓元,創歷史新高
  • SK 海力士擴建清州 M15X 廠,並在美國印第安納州興建 38.7 億美元的 HBM 先進封裝廠
  • 南亞科新廠 2027 年第 1 季裝機,目標 2028 年底每月投片 3 萬片
  • 摩根士丹利預估新產能從 2027 年下半年開始陸續開出

產能計畫的另一面是成本上升。The Elec 報導,ASML 將自 2027年1月起,把供應三星與 SK 海力士的 EUV、DUV 曝光機零件價格調漲 10%,兩家公司已經接受,折舊與設備成本會壓縮未來的利潤率。

長期合約是這一輪的緩衝。鎧俠目標 2028 年有 50% 出貨量由長約鎖定,SK 海力士也和約 10 家客戶簽了長約,價格下跌時對獲利的衝擊會比過去小,但也不代表不會下跌。

記憶體報價怎麼看?DRAM、NAND 合約價與現貨價

記憶體報價分成合約價和現貨價兩種:

合約價現貨價
交易對象原廠與大客戶(伺服器廠、手機廠、PC 品牌)通路商、模組廠之間的零星交易
占市場比重絕大部分出貨少數
更新頻率每月或每季議定每個交易日更新
特性反映真實供需,變動較慢波動大,常被視為領先指標

一般投資人可以在 TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 報價網站免費查看 DRAM 與 NAND 現貨價;完整合約價數據需要付費,但 TrendForce 每月會公布合約價走勢,並在每季發布下一季的漲跌預估。

看報價時有三個重點:

  • 現貨價通常比合約價先轉向,現貨價連續下跌時要留意
  • 公司法說會揭露的平均售價(ASP)變化最直接,例如南亞科第 3 季 ASP 季增逾 60%
  • 這一輪長約比例變高,合約價對短期供需的反應會比過去慢

記憶體是什麼?DRAM、NAND、HBM 是什麼?差在哪?

記憶體是我們用來「暫存或保存數位資料」的晶片,它的基本功能就是存儲資料、讀取資料、刪除資料。

記憶體可以分成:

DRAMNAND FlashHBM
類型揮發性
(斷電資料消失)
非揮發性
(斷電資料保留)
揮發性
(DRAM 的堆疊版)
角色處理器的工作空間長期儲存資料AI 晶片旁的高速工作空間
速度快較慢最快、頻寬最高
每 GB 成本中低最高
主要用途伺服器、PC、手機記憶體SSD、手機儲存、記憶卡AI 加速器(GPU)
主要廠商三星、SK 海力士、美光、長鑫、南亞科三星、SK 集團、美光、鎧俠、SanDiskSK 海力士、三星、美光

DRAM 是什麼?

DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取記憶體)用電容儲存資料,電容會漏電,所以每隔幾毫秒就要重新充電一次,斷電後資料就消失。

dram 工作原理
DRAM 原理,取自 All About Circuits

DRAM 依用途分成:

  • DDR:伺服器與 PC 用,目前主流是 DDR5
  • LPDDR:手機與筆電用,主打低功耗
  • GDDR:顯示卡用
  • HBM:AI 晶片用,下面另外介紹

DRAM 是記憶體概念股裡營收最大、報價最受關注的產品。全球主要的 DRAM 原廠只有三星、SK 海力士、美光,加上快速成長的長鑫;台灣的南亞科、華邦電則以利基型 DRAM 為主。供給集中在少數廠商手上,各家擴產或減產的決定會直接影響報價,這是 DRAM 股週期性特別強的原因。

NAND Flash 是什麼?

NAND Flash 是快閃記憶體的一種,斷電後資料仍會保留,容量大、成本低,用在 SSD、手機儲存空間與記憶卡。它的速度比 DRAM 慢,但每 GB 成本低得多,適合存放大量資料。

現在的 NAND 都是 3D 結構。平面的記憶單元縮小到一定程度就很難再縮,廠商於是改成往上疊,像把平面停車場改建成立體停車塔,同一塊地能停的車多出好幾倍。

3d nand flash 技術
2d nand vs 3d nand,取自 SK Hynix 官網

Tech Times 2026年8月整理的各家規格:

廠商最新一代層數儲存密度(Gb/mm²)進度
三星V10400 層以上約 282026年8月 FMS 大會發表
鎧俠/SanDiskBiCS10332 層29 以上2026年7月起送樣給企業客戶
SK 海力士第 9 代321 層約 20已推出
美光第 9 代276 層21.0已推出

層數不是唯一的指標。鎧俠的 BiCS10 比三星少了約 70 層,儲存密度卻比較高,代表同樣面積能放更多資料,成本也比較有優勢。

AI 讓 NAND 多了新的需求。AI 推論要頻繁讀取模型參數和大量小檔案,TrendForce 指出,SSD 的反應時間以微秒計,硬碟則是毫秒,原廠因此加速推出 122TB、245TB 的超大容量企業級 SSD,想搶下資料中心原本用硬碟的市場。

但 2026 年 NAND 缺貨讓 SSD 取代硬碟的速度慢了下來。VDURA 的統計顯示,30TB 企業級 TLC SSD 的價格從 2025 年第 2 季約 3,062 美元,漲到 2026 年第 1 季將近 11,000 美元;同容量下 SSD 對硬碟的成本差距,從 6.2 倍拉大到 16.4 倍,不少客戶改用 SSD 加硬碟的混合配置。這也是希捷、威騰兩家硬碟廠在這一輪同樣大漲的原因。

HBM 是什麼?

HBM(High Bandwidth Memory,高頻寬記憶體)是專門給 AI 晶片用的 DRAM。它把 8 到 16 顆 DRAM 晶片垂直疊起來,用貫穿晶片的矽穿孔(TSV)連接,再和 GPU 封裝在同一塊基板上,緊貼在 GPU 旁邊。

一般 DDR5 記憶體模組的資料通道寬度是 64 位元,像單線道公路;HBM 把通道大幅加寬,像幾十線道的高速公路。JEDEC 2025年4月定案的 HBM4 標準規定每疊 HBM 有 2,048 位元的介面,頻寬最高每秒 2TB,最多可疊 16 層、容量 64GB。美光 2026年3月量產的 HBM4 頻寬超過每秒 2.8TB,是上一代 HBM3E 的 2.3 倍,能效也提升 20%。

HBM 技術最新進程,取自 Micron Technology

HBM 的優勢有三個:

  • 頻寬高:AI 模型動輒數千億個參數,GPU 每次運算都要讀取大量資料,頻寬決定 GPU 能不能被餵飽
  • 省電:資料傳輸距離短,每傳 1 位元消耗的電力比較少,對耗電量驚人的 AI 資料中心很重要
  • 省空間:堆疊設計讓 GPU 旁邊有限的面積可以塞進更多容量

全球能大量生產 HBM 的只有 SK 海力士、三星、美光三家,原因在於製造難度:

  • 堆疊:12 層、16 層晶片要精準對齊、黏合,還不能翹曲。SK 海力士用自家的 MR-MUF 封裝技術改善翹曲問題,這是它領先的關鍵之一;下一步是混合鍵合(hybrid bonding),SK 海力士 2026年4月表示已完成 12 層混合鍵合 HBM 的驗證,正在拉高良率
  • 良率:一疊 HBM 只要其中一顆晶片有瑕疵就可能整疊報廢,層數越多,整體良率越難提高
  • 產能:生產一片 HBM 晶圓消耗的面積約等於 3 片 DDR5 晶圓。原廠把產能轉去做 HBM,一般 DRAM 的供給就變少,這是 2025 至 2026 年 DRAM 全面漲價的主因之一

有「HBM 之父」之稱的韓國科學技術院(KAIST)教授金正浩,2026年2月3日在首爾的記者會上表示,AI 的瓶頸已經從 GPU 轉到記憶體。他認為 HBM 負責運算時的高速讀寫,但受限於封裝空間、功耗和散熱,容量很難再大幅增加,用 NAND 堆疊而成的 HBF 可以補上容量,存放 KV 快取和上下文資料。他預估 2038 年 HBF 的比重會超過 HBM。這是長期的技術方向,HBF 目前還沒有統一規格,大型科技公司會不會採用仍是未知數。

下一代記憶體:CXL 與 HBF

CXL(Compute Express Link) 是建立在 PCIe 上的開放協定,讓 CPU、GPU 和記憶體之間可以共享資料。傳統伺服器的記憶體像每位員工桌上的專屬抽屜,有人塞滿、有人空著,彼此不能互借;CXL 像公司設了一個中央置物櫃,多台伺服器可以從同一個記憶體池按需取用,這叫記憶體池化(memory pooling)。

CXL 聯盟 2025年11月發布 CXL 4.0 規格,在不增加延遲的前提下把傳輸速率翻倍到 128 GT/s。產品進度方面,TrendForce 2026年7月引述韓媒報導:

  • 三星計劃 2026 年底量產基於 CXL 3.2 的 CMM-D 3.0 模組,宣稱可讓總記憶體容量增加最多 50%,頻寬是只用 DDR5 系統的 2 倍
  • SK 海力士 2026年6月展示第二代 CMM-DDR5 樣品,已和客戶洽談供貨,尚未公布量產時程
  • 美光 2023 年推出 CXL 2.0 產品 CZ120,據報正在開發 CXL 3.1 與 3.2 產品
  • 輝達、英特爾、AMD 的新一代晶片都在加入 CXL 支援,Marvell 的 Structera 系列也已和主要記憶體與 CPU 平台完成互通測試。AMD 則宣布收購內存優化廠商 MEXT,透過 AI 驅動的分層技術,將低頻存取的冷資料從 DRAM 移轉至 NAND 閃存。

CXL 要普及,CPU、交換器、記憶體控制器和軟體都要同時支援,還要在客戶的伺服器上通過驗證,目前仍在早期階段。對記憶體廠來說,CXL 代表每台伺服器能裝更多 DRAM,是 HBM 之外的另一個需求來源。

HBF(High Bandwidth Flash,高頻寬快閃記憶體) 是用 NAND 做出類似 HBM 的堆疊結構,容量比 HBM 大、成本更低,適合 AI 推論。SanDisk 與 SK 海力士 2026年2月25日啟動 HBF 標準化聯盟,在 OCP 開放運算計畫下推動規格;SanDisk 目標 2026 年下半年交出第一批 HBF 樣品,搭載 HBF 的 AI 推論裝置預計 2027 年初送樣。

投資記憶體概念股的 8 大風險

1. 週期反轉:漲得快,跌得也深

記憶體是典型的景氣循環產業,走勢大致依照「缺貨、漲價、擴產、供過於求、跌價、減產」反覆循環。

上一次下行週期是很好的例子:疫情期間居家辦公帶動電子產品需求,廠商大舉擴產,需求降溫後客戶開始消化庫存。2021 年第 3 季到 2023 年第 1 季,DRAM 平均價格從每單位約 0.54 美元跌到 0.30 美元,NAND 價格下滑約 55%。

各家原廠後來大幅減產,2023 年 DRAM 位元產出年減 9%,過去 7 年平均是成長約 21%;NAND 位元產出年減 5%,過去 7 年平均成長約 36%。2023 年各家原廠普遍虧損,價格直到年底才止跌回升。

這一輪的風險在於預期已經很高。摩根士丹利 10月13日的報告統計,市場對亞洲記憶體廠的盈利預期已平均上修 432%,而記憶體股過去通常比盈利高峰早 4 至 8 個月見頂。財報數字最好看的時候,股價可能已經先反映了。

2. 資金面衝擊:槓桿產品放大波動

記憶體股的波動不一定來自基本面。韓國 2026 年上半年推出多檔掛鉤三星、SK 海力士的單一個股 2 倍槓桿 ETF,市場認為它們的大額再平衡交易放大了股價波動。韓國金融委員會 7月16日宣布暫停新的單一個股槓桿 ETF 上市,並把交易槓桿 ETF 的最低存款從 1,000 萬韓元提高到 3,000 萬韓元。消息公布當天,KOSPI 收跌 6.4%,SK 海力士跌 11.5%,三星電子跌 8.8%。

美股的 DRAM ETF 也有類似狀況,9月中旬連續 14 個交易日資金淨流出。資金撤出時,持股集中的記憶體股會一起被賣。

3. AI 需求不如預期,或技術讓記憶體用量變少

這一輪需求主要來自 AI 資料中心。雲端業者如果放慢資本支出,記憶體需求會最先受到影響。另一個風險是技術效率提升:2026年3月 Google Research 發表 TurboQuant 壓縮演算法,宣稱能把大型語言模型的記憶體需求降低至少 6 倍,美光股價當週下跌 12%。

也有分析師認為,成本下降反而會讓 AI 被更廣泛使用,最後增加記憶體需求,兩種看法目前都還沒有定論。

摩根士丹利 10月13日的報告也估算,輝達 NVL72 單一機架中記憶體約占價值的 29%,擴大到 8 個互聯機架後降到 19%,網路設備則從 10% 升到 20%。AI 投資持續增加,記憶體廠也未必能同比例受益。

不過,如果 AI 熱潮退燒怎麼辦?

記憶體是景氣循環顯著的產業,業者不願興建新晶圓廠提升產能,尤其現在外界不斷討論 AI 是否會泡沫破裂,沒人願意砸數十億美元蓋需要多年才能完工的工廠,結果泡沫爆掉後只剩產能過剩、毫無需求。

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4. 中國廠商擴產與價格競爭

長鑫 2026年7月27日在上海科創板掛牌,首日收盤大漲 465%,市值約 3.28 兆元人民幣,招股書顯示全球 DRAM 市占約 7.7%,排名第 4。長鑫目前的產品集中在 DDR4、DDR5、LPDDR,HBM 仍落後三巨頭,但若 4F² 架構順利量產,標準型 DRAM 的價格壓力會增加(詳見上方長鑫段落)。

長江存儲堆疊層數達 270 層,接近三星水準。更可怕的是他們的價格策略。中國記憶體廠商的 NAND 價格普遍比其他國家便宜 10-20%。在中國政府「半導體國產化」政策和國家資金支持下,長江存儲、長鑫存儲可以不計成本地擴產,透過價格戰搶佔市場份額。

2025 年,中國在晶片製造設備上的投資仍然位居全球第一,雖然比去年大幅下降約 24%,從 500 億美元降到 380 億美元,但仍比排名第二的韓國 215 億美元高出許多。

在 NAND Flash 領域,長江存儲持續獲得中國政府補貼支持,若以低價策略搶市,將擾亂市場價格結構,加劇韓美記憶體廠的競爭壓力。一旦中國廠商技術成熟、良率提升到與國際大廠相當的水準,他們完全有能力發動價格戰,迫使三星、SK Hynix、Micron 被動降價應對,整個產業的獲利能力將被嚴重侵蝕。

雖然美國將長江存儲列入出口管制名單,但國際半導體產業協會指出,中國廠商良率仍持續提升,若未來價差擴大,全球採用比例恐將「勢不可擋」。更值得注意的是,三星已與長江存儲簽署專利授權協議,意味中國在全球記憶體專利版圖上的影響力正逐步提升。

中國廠商短期內難以撼動高階市場如 HBM,但在中低階 DRAM 和消費級 NAND 市場已構成實質威脅。

國際客戶也開始考慮採用中國記憶體。蘋果向美國商務部遊說,希望確保長鑫不會被列入實體清單,好讓蘋果能向長鑫採購記憶體。如果大型客戶陸續導入,三巨頭在中低階 DRAM 的定價能力會受到挑戰。

5. 終端需求被高價壓抑

記憶體漲價最後會轉嫁到消費者身上。蘋果 2026年6月25日調漲 Mac 與 iPad 售價,MacBook Pro 1TB 從 1,699 美元漲到 1,999 美元,iPad Air 128GB 從 599 美元漲到 749 美元,蘋果表示「從未見過零組件價格漲得這麼多、這麼快」。任天堂 5月8日宣布,Switch 2 美國售價 9月1日起調漲 50 美元至 499.99 美元,預估記憶體等零組件與關稅會讓本財年成本增加 6.38 億美元。

產品變貴,消費者可能延後換機,品牌廠也可能降低記憶體規格。PC、手機、遊戲機的銷量和庫存,是觀察需求有沒有被破壞的指標。

6. 反壟斷訴訟

2026年6月25日,14 名消費者與 3 家小型電腦業者在美國加州北區聯邦法院對三星、SK 海力士、美光提起集體訴訟,指控三家公司以轉產 HBM 為由,協同減少 DDR3、DDR4 等傳統 DRAM 的產量,讓標準型 DRAM 價格在四年內上漲約 700%,並求償三倍損害賠償。訴狀也提到,三星與 SK 海力士在 2000 年代曾因操縱價格認罪,合計罰款約 7.31 億美元。案件仍在審理中,但記憶體漲價已經開始受到法律檢視。

7. 客戶集中

HBM 的主要客戶是輝達等少數 AI 晶片商,大型雲端業者也占伺服器記憶體需求的大部分。一家大客戶調整採購比例,就可能讓某家原廠的 HBM 市占一季內大幅變化,2026 年第 2 季 SK 海力士市占季減 8 個百分點、三星季增 12 個百分點就是例子。

8. 地緣政治

美中科技管制、出口限制、關稅都會影響記憶體供應鏈。三星、SK 海力士在中國設有工廠,長鑫被列入美國國防部「中國軍事企業」清單,美光的中國伺服器業務也已受限。主要產能集中在韓國與台灣,區域局勢緊張時,供應鏈中斷的風險也會反映在股價上。

常見問題

記憶體概念股有哪些?

全球市值前 10 大記憶體概念股是三星、美光、SK 海力士、長鑫、SanDisk、希捷、鎧俠、威騰、南亞科、華邦電(截至2026年10月14日)。台灣另有群聯、力積電、慧榮、旺宏、力成、威剛、創見、宜鼎等供應鏈公司。

記憶體的龍頭股是誰?

記憶體龍頭是三星、SK 海力士和美光,三家合計掌握全球約 90% 的 DRAM 市場。2026 年第 2 季 DRAM 市占第一是三星(39%),HBM 市占第一是 SK 海力士(50%)。

記憶體股為什麼大跌?

2026年10月的大跌主要有 4 個原因:三星財報亮眼卻利多出盡、三星與 SK 海力士回購結束、長鑫宣布 4F² DRAM 技術進展,以及 AI 融資成本上升讓市場重新評估回報。基本面尚未轉差,市場擔心的是週期見頂。

SanDisk 是做什麼的?跟威騰有什麼關係?

SanDisk 是美國 NAND Flash 與 SSD 廠,原本是威騰電子的一部分,2025年2月21日分拆獨立上市。分拆後 SanDisk 專做快閃記憶體,威騰專做硬碟,威騰保留的 SanDisk 股權也已處分完畢,兩家已是不同公司。

台灣的 DRAM 廠有哪些?

台灣的 DRAM 廠以利基型產品為主,包括南亞科、華邦電與力積電。南亞科是台灣最大的 DRAM 廠,主攻 DDR4、DDR5 與 LPDDR4;華邦電做利基型 DRAM 與 NOR Flash;力積電以記憶體與晶圓代工為主。美光在台灣也有大型 DRAM 工廠,2026 年美光大部分的 DRAM 在台灣生產。

台灣有做 HBM 的公司嗎?

台灣目前沒有量產 HBM 的記憶體原廠,但有參與 HBM 供應鏈的公司:台積電代工 HBM4 底層邏輯晶片,力成、京元電負責先進封裝與測試,萬潤、穎崴、旺矽提供檢測與先進封裝設備。南亞科也規劃在 2028 年前導入 TSV 堆疊技術。

記憶體報價去哪裡查?

DRAM 與 NAND 現貨價可以在 TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 免費查看,每個交易日更新。合約價每月或每季議定,可以參考 TrendForce 每月公布的合約價走勢,以及記憶體廠法說會公布的平均售價變化。

總結:記憶體概念股現在怎麼看?

記憶體概念股受 AI 驅動、供應緊缺,可能是未來 3-5 年最重要的科技投資主題之一。目前,記憶體概念股的基本面仍在高點:美光、南亞科毛利率超過 85%,三星、SK 海力士季獲利都創新高,2026 年第 4 季合約價也還在上漲。

但股價已經先跌,SK 海力士、鎧俠、威騰距高點跌幅都超過五成,市場正在提前反映 2027 年下半年之後的新產能與競爭。

但是由於記憶體概念股週期性強,記憶體股適合願意追蹤產業數據、能承受大幅波動的投資者,不適合保守型或沒有時間研究的投資者。比起看股價漲跌,更值得持續追蹤的是合約價漲幅、盈利上修比例、新產能時程和長鑫的量產進度。

投資記憶體概念股要注意:

  1. 謹慎選擇標的:在高風險產業中,技術領先、財務穩健、客戶多元的龍頭企業存活率較高,避開過度依賴單一產品或單一客戶的公司
  2. 不要追高:當媒體大肆報導記憶體股大漲、人人都在談論時,往往已是週期高點,此時進場風險極大
  3. 設定停損停利:記憶體股波動劇烈,必須嚴格執行風險控管。設定獲利了結,跌破什麼價位需要停損出場
  4. 追蹤產業週期指標:密切關注 DRAM/NAND 價格指數、庫存週期、產能利用率、毛利率變化等領先指標。判斷當前處於週期的哪個階段
  5. 分散投資:不要把全部資金押注記憶體股,記憶體概念股佔投資組合比重不要太高
  6. 保持理性判斷:不追高、不恐慌,基於數據和邏輯做決策,而非情緒和市場氛圍

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總編輯
Yee Harn(彧涵)目前擔任 Spark Spark Finance 的內容總編輯與社群媒體編輯,負責網站內容的規劃、撰寫方向、資料查核與定期更新,專注為讀者整理客觀、中立且易理解的投資與財經資訊。她長期關注美股、馬股及新興市場動態,並以一般投資人角度,分享市場觀察與趨勢解析。她擅長把複雜的金融主題轉化為淺顯易懂的內容,讓更多人輕鬆理解財經資訊。此外,她也非常重視讀者互動,透過留言與社群溝通了解讀者的疑問與需求,以持續優化內容品質。 在此之前,Yee Harn 於 2021 年加入 Finspark,負責公司旗下 3 個 YouTube 頻道的內容方向,撰寫超過 100+ 與個人理財、成長、宏觀經濟與地緣政治相關的視頻腳本,並管理社交媒體內容。 2023 年加入價值思維,擔任 SEO 內容創作者與社群媒體編輯,負責儲蓄、信用卡、政府津貼、基金與 ETF 等主題,以輕鬆易懂的方式幫助小資族了解基礎投資知識。