SK 海力士（SK hynix）將在 2026年7月10日以 ADR 形式登上那斯達克，股票代號 SKHY。最終 ADS 定價 USD 149，發行規模約 USD 265 億目，超越阿里巴巴 2014 年紐交所 IPO 創下的 USD 250 億 ADR 記錄，成為史上規模最大的美國存託憑證上市案，也是外資企業在美交易所有史以來最大一次股票融資。
SK 海力士是全球 AI 記憶體龍頭。在全球 HBM 記憶體市場，SK 海力士的市占達 56.4%（IDC，2026年Q1），排名全球第一。
本文依據 SK 海力士向 SEC 遞交的 F-1 文件（2026年6月24日初稿）及最新財報，拆解這次 ADR 上市的細節、公司業務、財務狀況和投資注意事項。
本文重點
- SK 海力士 ADR 代號 SKHY，於 2026年7月13日正式在那斯達克掛牌；最終定價 USD 149 / ADS，集資 USD 265 億（W38.5 兆），7 倍超額認購，美股史上最大存託憑證上市案
- ADR 比例外媒報導為 10 ADR = 1 股韓國普通股；存託銀行：Citibank N.A.；上市後 90 天鎖定期
- HBM 全球市占 56.4%（IDC，Q1 2026 F-1 引用數據）；Q1 2026 毛利率 79.3%、營業利益率 71.5%。Q3 2026 營收 W104.6155 兆，單季營收首次突破 W100 兆，營業利益率 80%；2026 財年股東回報規模約 W100 兆，第三季每股派息 W20,000（含 W10,000 Kioxia 特別股息）
- 大馬投資者可透過 moomoo MY、Rakuten Trade 等美股平台下單，方式與普通美股相同
SK 海力士 ADR 上市詳情一覽
SK 海力士 ADR 代號 SKHY，預計 2026年7月10日在那斯達克正式開始交易。
這次上市的性質和一般 IPO 不同。海力士早在 1996 年就已在韓國交易所（KRX）掛牌，代號 000660。這次是透過在美股額外發行 ADR，讓不想開韓股帳戶的投資者多一條購買管道，同時藉機集資擴廠。
| 項目 | 詳情 |
|---|---|
| 股票代號 | SKHY（那斯達克，7月13日正式）；SKHYV（7月10日預交易） |
| 目前 OTC 代號 | HXSCL |
| 上市交易所 | Nasdaq |
| F-1 遞交日期 | 2026年6月24日 |
| 預計開始交易 | 2026年7月13日（SKHY）；7月10日 SKHYV 預交易 （視 SEC 審批及市況） |
| ADR 比例 | 10 ADR = 1 韓國普通股 |
| 新發行韓股股數 | 最多 17,790,000 股 （佔總股數 2.50%） |
| 總股數（決議日） | 712,702,365 股 |
| 等同 ADR 張數 | 最多約 1.779 億張 ADS （以 10:1 比例計） |
| 最終 ADS 定價 | USD 149 / ADS （較7月9日首爾對應價溢價約 3.1%） |
| 目標集資規模 | F-1 初稿空白， 據報逾 USD 296.5 億， 不過隨著韓股波動 目前約 USD 265 億 |
| 存託銀行 | Citibank N.A. |
| 鎖定期 | 上市後 90 天 （公司及部分關聯方） |
| 定價方式 | 詢價建簿， 最終定價上市前公布 |
| 單 ADS 參考價* | W255 萬韓圜 調整至 W242.5 萬韓圜 （約 USD 166） |
| 承銷行 | Goldman Sachs、BofA Securities、 Citigroup、J.P. Morgan |
| 董事會決議日期 | 2026年6月24日 |
*SK 海力士將 ADR 定價參考基準由 6月23日收盤價 W255.5 萬韓圜下調至 7月3日收盤價 W242.5 萬韓圜，發行股數維持不變，募資規模因此從約 USD 290 億收窄至約 USD 280 億。公司明確指出，最終發行價格仍需經由簿記建档程序確定。
USD 265 億的最終發行規模超越阿里巴巴 2014 年在紐交所籌資的 USD 250 億，成為外資企業透過 ADR 在美股市場有史以來最大一次融資。這也是韓國企業有史以來規模最大的海外集資。
需要特別說明的是：目前流通的這份是 F-1 初步說明書（Preliminary Prospectus），ADR 比例、定價和集資金額都尚未確定。最終數字以 SEC 批准後的定版 F-1 為準，預計上市前幾天公布。
SK 海力士 ADR 於 2026年7月6日正式啟動機構詢價，市場需求訊號正面。Base Offering 認購名單中，已出現 BG Capital、Coatue Management 及由 OpenAI 前員工創立的 Situational Awareness 等知名 AI 基金。據悉，已有投資者表達意向認購高達 USD 70 億的 ADS，約佔當前預計募資規模的四分之一，整體認購申請呈較大幅度超額。
受此前股價下滑影響，參考定價基準由 W255.5 萬韓圜下調至 W242.5 萬韓圜，降幅約 5.1%，募資規模因此從約 USD 290 億收窄至約 USD 280 億。
SK 海力士 ADR 是什麼？跟直接買韓股有什麼不同？
買 SKHY 和買韓國交易所的 000660.KS 是同一家公司，代表的所有權一樣，但交易幣種、管道、比例都不同。
ADR 的運作原理
ADR（American Depositary Receipt，美國存託憑證）的機制是存託銀行在韓國市場買入海力士普通股，存放在當地托管機構，然後在美股市場針對這批股份發行憑證，讓美股投資者以美元交易。SK 海力士這次的存託銀行是 Citibank N.A.。
你買的 SKHY 是這張憑證，不是直接持有韓國普通股。但存託銀行確實持有對應的韓國股份。
要注意的是，ADR 是整個存托憑證計劃的法律架構名稱（American Depositary Receipt），ADS 是你實際在交易所買賣的每一個單位（American Depositary Share）。在行情報價上，你看到的 SKHY 每一股就是 1 ADS。兩個詞日常經常混用，但嚴格來說：你買的是 ADS，ADR 是它的憑證外殼。
SK 海力士 ADR 的比例：10 ADR = 1 KRX 股
外媒普遍報導的換算比例是 10 張 SKHY ADR = 1 股 KRX 普通股，但需要注意：這份是初步說明書，F-1 原文的 ADR 比例欄位目前為空白，正式比例以定版文件為準。
最終定價已於 2026年7月9日確定：USD 149 / ADS，對應韓圜約 W226,927（以 W1,523.5 匯率換算），較周四首爾收盤對應價溢價約 3.1%。
10:1 的比例讓每張 ADR 的單價更接近一般美股的交易習慣，避免韓股動輒 200 多萬韓圜的高單價讓投資者卻步。
ADR vs 直接買韓股差異
| 比較項目 | SKHY ADR | KRX 000660.KS 韓國普通股 |
|---|---|---|
| 交易幣種 | 美元 （USD） | 韓圜 （KRW） |
| 交易所 | 那斯達克 （美股時間） | 韓國 KRX （韓國時間） |
| 開戶需求 | 只需美股帳戶 | 需另開韓股帳戶， 手續較繁瑣 |
| ADR 存託費 | 每年約 USD 0.01–0.05/ADR | 無 |
| 股息稅 | 韓國預扣 22%， 由存託銀行代扣 | 同樣 22%， 但申報方式不同 |
投資者一般比較適合走 ADR 路線，不需要另外開韓股帳戶，而且 SKHY 的流動性預計比 OTC 版本的 HXSCL 高得多。
ADR 定價溢價與轉換機制：兩件事要注意
SK 海力士 ADR 系首次在美上市，市場對「合理溢價區間」沒有歷史基準可參考。摩根士丹利上市前估計初始溢價區間在 5–10% 之間，並指出若 SKHY 被納入美股指數，溢價可能進一步擴大；另有部分機構投資者估計溢價可能超過 30%。預期分歧本身就說明定價存在高度不確定性。台積電 ADR 過去一個月相對台股的平均溢價約 16%，可作為一個有限的參考，但兩家公司的流動性和市場認知差距相當大。
目前已知，SK 海力士 ADR在上市後3天，對首爾正股溢價達 51%，但很大原因是因為其期權正式上線所推動。
另一個需要注意的機制不對稱：ADR 持有人可以申請注銷 ADS 並換回首爾上市普通股，方向相對暢通；但反向操作（將韓國普通股轉換為 ADS）則可能需要取得韓國監管機構的批准，並非自由流通。這個不對稱性限制了套利交易的雙向操作空間，也影響 ADR 溢價的收斂速度。
延伸閱讀：
SK 海力士股票怎麼買？美股代號 SKHY 什麼平台能買？
搜尋代號 SKHY，透過任何支援美股交易的平台即可下單，門檻跟買普通美股一樣。
比如 Interactive Brokers（IBKR），這是在那斯達克上市的美國大型券商（代號 IBKR），直接對接美國市場以及韓國市場，支援 Nasdaq 上市的 ADR，包括 SKHY 以及韓國的 000660.KS，給用戶更多選擇。
IBKR 開放外國投資者開戶，申請全程線上完成，平台本身支援多幣種，而且受美國 SEC 和 FINRA 監管。
馬來西亞用戶如果要在受馬來西亞證券委員會（SC）監管的平台買美股可參考：
下單時要注意什麼？
這次不能提前認購。 海力士是已上市公司，這次 ADR 上市不開放散戶以 bookbuilding 價格認購，你只能在7月10日起可以 SKHYV 代號進行預交易；正式代號 SKHY 自 2026年7月13日起在那斯達克掛牌，以市場價格下單買入。
每年持有 SKHY，存託銀行會從你帳戶直接扣取 USD 0.01–0.05 per ADR 的存託費（Depository Fee）要留意。通常在每年特定日期自動扣除，帳戶持有人不會另行收到通知。持有張數多，費用才會較可觀。
SKHY 在那斯達克交易，美東夏令時間 9:30am–4:00pm 對應台湾或馬來西亞時間（GMT）晚上 9:30pm 至凌晨 4:00am。像是 IBKR 就支援盤前盤後交易，時段更長。
SK 海力士是什麼公司？
SK 海力士（SK hynix Inc.）是全球第二大記憶體晶片製造商，在 HBM（高頻寬記憶體）這個 AI 加速器必需品的細分市場上，則是全球第一。
公司前身是 1983 年成立的「現代電子」，歷經現代電子和 SK 集團兩次股權轉換，2012 年正式更名為 SK 海力士。總部位於韓國京畿道利川市，全球員工逾 4 萬人，在韓國、中國（無錫廠）和美國均有生產及研發據點。
1996 年在韓國交易所（KRX）掛牌，代號 000660。截至 2026 年 6 月，KRX 股價年漲幅超過 280%，市值突破 USD 1 兆，進入全球市值前 20 大半導體公司之列。
SK 海力士記憶體主要業務：HBM、DRAM、NAND
HBM（高頻寬記憶體）
HBM 是 AI 加速器的必需品，原因在於 GPU 的算力瓶頸往往不是計算核心，而是能多快把數據餵進去。普通 DDR5 記憶體頻寬約 51 GB/s，HBM3E 的頻寬高達約 1,200 GB/s，快了逾 20 倍。Nvidia 每一顆 H100、H200、B200 GPU 裡面，都需要搭配 HBM 才能發揮完整算力。
海力士是全球 HBM 的最大供應商。根據 F-1 文件引用的 IDC 數據，海力士 HBM 市占達 56.4%（Q1 2026）。海力士在 HBM3E 的量產時程比三星早約 6–12 個月，讓 Nvidia 在認證新一代 GPU 的 HBM 供應商時，海力士幾乎是唯一的成熟選擇。
HBM4 已於 2026年2月開始量產（全球首發），送樣 Nvidia 最早可追溯至 2025年3月。HBM4E 方面，三星 2026年5月搶先出樣，比 SK Hynix 早約數個月。這是海力士罕見在 HBM 世代交替節點上落後的情況，值得持續追蹤。
SK 海力士在 Q3 業績中表示，HBM4 已開始正式出貨，並會在 2026 年底前把 M15X 廠拉到滿產，增加 HBM4 產量。公司預期 Q4 HBM4 的出貨量和營收都會超過 HBM3E，成為主流產品。
DRAM（動態隨機存取記憶體）
DRAM 是海力士的收入主力。根據 F-1，DRAM（含 HBM）佔 Q1 2026 總收入 77.3%，佔 2025 全年收入 77.1%。全球 DRAM 市場（含 HBM）海力士排名第二（29.1% 市占，IDC Q1 2026），三星仍排第一。值得注意的是，競爭格局已從過去三強鼎立，加入了中國廠商 CXMT（長鑫存儲），F-1 明確將其列為 DRAM 市場競爭者。
AI 伺服器對 DDR5 DRAM 的需求持續強勁，帶動企業級 DRAM ASP 維持高位。
NAND Flash 儲存業務
NAND Flash 佔 Q1 2026 總收入 22.0%、2025 全年 21.3%，全球市占 18.5%（IDC，Q1 2026），排名第二。
海力士 2020 年以 USD 88 億收購 Intel 的 NAND 業務，以「Solidigm」品牌運營，收購尾款 USD 22 億剛在 2025年3月付清。Solidigm 目前尚未達收支平衡，是海力士三條業務線中唯一仍在整合期的板塊。
2026年10月23日，SK 海力士宣布 Solidigm 停止評估 pre-IPO 及 IPO 方案。Solidigm 原本考慮透過 IPO 籌資，在美國興建新廠，應對 AI 記憶體需求。公司表示，停止評估是考量近期資本市場狀況和股價走勢，Solidigm 的成長前景和投資需求沒有改變，後續仍會評估投資時程、規模和融資方式。
海力士的收入來源不只是 HBM。從 F-1 的數字來看，三條產品線的地位、競爭格局和週期性完全不同：
| 指標 | HBM | 一般伺服器 / 消費 DRAM | NAND Flash |
|---|---|---|---|
| 佔 Q1 2026 收入 | 包含在 DRAM 77.3% 內， 佔比持續升高 | DRAM 整體含 HBM 共 77.3% | 22.0% |
| 全球市占 （IDC，Q1 2026） | 56.4%， 排名 #1 | 29.1% （DRAM 含 HBM）， 排名 #2 | 18.5%， 排名 #2 |
| 主要競爭對手 | 三星 （封裝良率仍追趕中）、 美光 | 三星、 美光、 CXMT（中國長鑫） | 三星、 KIOXIA、 美光、 Sandisk |
| 週期性 | 低 AI 資本支出驅動， 客戶需求能見度高 | 高 受消費電子、 PC 景氣影響大 | 最高 儲存市場 供過於求是常態 |
| 定價能力 | 強， 供不應求， 海力士主導定價 | 弱， 商品化程度高， 價格隨供需波動 | 最弱， 市場分散， 競爭激烈 |
三條業務線裡，HBM 是目前撐起毛利率的主要原因，但也是業務線中最集中在少數客戶的一條。前兩大客戶合計貢獻 Q1 2026 收入的 27.2%，其中最大客戶（外界普遍認為是 Nvidia）佔 2025 全年收入的 23.9%。
延伸閱讀：
SK 海力士財務狀況：Q3 2026 營業利益率 80%，單季營收首破 W100 兆
Q3 2026 業績（單季營收首破 W100 兆）
SK 海力士 Q3 2026 業績於 2026年10月28日正式發布。營收和營業利益連續第三季刷新紀錄，單季營收首次突破 W100 兆：
| 指標 | Q3 2026 | QoQ 變化 | YoY 變化 |
|---|---|---|---|
| 營收 | W104.6155 兆 | +32% | +328% |
| 營業利益 | W83.3338 兆 （營業利益率 80%） | +38% | +632% |
| 淨利 | W39.7756 兆 （淨利率 38%） | -58% | +216% |
Q2 2026 對比：營收 W79.3187 兆、營業利益率 76%、淨利 W93.9226 兆
Q3 單季 W104.6 兆的營收，已經超過 2025 全年的 W97.15 兆。2026 年前三季累計營收約 W236.5 兆、營業利益約 W181.5 兆，分別是 2025 全年的 2.4 倍和 3.8 倍。
和市場預期相比，營收比的 W98.34 兆高約 6%，營業利益比預期的 W76.72 兆高約 9%。Q2 業績兩項都低於預期，Q3 剛好反過來。
按產品看，DRAM 的主力是伺服器 DDR5，銷售大幅成長，HBM4 也開始正式出貨。NAND 方面，321 層 TLC eSSD 銷售擴大，資料中心用的高附加值產品全面成長。
淨利率從 Q2 的 118% 回落到 38%，淨利按季減少 58%。主要原因是 Q2 出售部分 Kioxia 股權，認列了 W62.166 兆的業外收益，Q3 沒有同等規模的一次性收益墊高。不過 Q3 淨利 W39.8 兆和營業利益 W83.3 兆之間仍差約 W43.6 兆，表示本季有不小的業外損失或稅務支出，公告沒有列出明細。評估主業獲利能力，仍以營業利益為準。
截至 Q3 末，現金及現金等價物達 W114.5 兆，比上季末增加 W26.5 兆；借款減少 W2.8 兆至 W15.8 兆，淨現金擴大到 W98.7 兆（Q2 末為 W69.4 兆）。
下一步，公司計劃加快提高 10nm 級第 6 代（1c）製程的比重，擴大 AI 伺服器用 DDR5 和 LPDDR5 SOCAMM 的銷售。NAND 方面，Q4 會把 321 層製程提高到韓國國內 NAND 產能的一半以上。
Q2 2026 業績（再次打破紀錄）
SK 海力士 Q2 2026 業績於 2026年7月29日正式發布，再次超越前一季紀錄：
| 指標 | Q2 2026 | QoQ 變化 | YoY 變化 |
|---|---|---|---|
| 營收 | W79.3187 兆 | +51% | +257% |
| 營業利益 | W60.5426 兆 （營業利益率 76%） | +61% | +557% |
| 淨利 | W93.9226 兆 （淨利率 118%） | +133% | +1,242% |
Q1 2026 對比：營收 W52.5763 兆、營業利益率 71.5%、淨利 W40.3459 兆
Q2 2026 的 W79.3 兆單季營收，相當於 2025 全年 W97.1 兆的 81%。76% 的營業利益率比 Q1 的 71.5% 再進一步，在整個半導體產業極其罕見。
值得注意的是，淨利率 118% 意味著淨利（W93.9 兆）超過同期營收，這通常反映大額非經常性業外收益（如外匯收益、投資收益等），而非主業盈利。Q1 淨利率約 77%、Q2 跳升至 118%，原因是SK 海力士本季部分出售 Kioxia（鎧俠）股權，確認非經營收益 W62.166 兆，稅前利潤因此達到 W122.7084 兆。扣除這筆一次性收益後，核心主業盈利仍以營業利益率 76% 為準。這筆 Kioxia 收益不具可持續性，評估公司盈利能力時應以營業利益為主要參考。
SK 海力士預計 2026 全年資本支出（CapEx）將落在 W40–50 兆的高端，較此前指引更為積極。公司同時強調將維持「CapEx 紀律」，即在擴產的同時避免過度槓桿。
Q1 2026 業績（史上最強單季）
| 指標 | Q1 2026 | YoY 變化 |
|---|---|---|
| 營收 | KRW 52.58 兆 （USD 345 億） | +198% |
| 毛利 | KRW 41.68 兆 （毛利率 79.3%） | — |
| 營業利益 | KRW 37.61 兆 （營業利益率 71.5%） | +405% |
| 淨利 | KRW 40.35 兆 （77% 淨利率） | +398% |
以下數字直接來自 F-1 初步說明書（換算匯率：KRW 1,523.5 / USD 1，2026年3月31日）：
Q1 2026 的 KRW 52.58 兆單季營收比 2025 全年的一半還多，年增 198%。79.3% 的毛利率和 71.5% 的營業利益率，在整個半導體產業均屬罕見。
做個比較：Nvidia FY2027 Q1（2026年4月結算）的 GAAP 毛利率為 74.9%。海力士 Q1 2026 的 79.3% 高出約 4 個百分點。在記憶體行業能超越 GPU 龍頭的毛利率，主因是 HBM 的定價能力，HBM 售價是普通 DRAM 的 5–7 倍，毛利結構完全不同。
此外，海力士 Q1 2026 淨利 KRW 40.35 兆，比 Q1 2025 的 KRW 8.11 兆高出近 5 倍，且這個單季淨利幾乎等於 2025 全年淨利的 94%（全年 KRW 42.95 兆）。
2025 年全年業績
| 指標 | 2025年全年 |
|---|---|
| 營收 | KRW 97.15 兆 （約 USD 655 億） |
| 營業利益 | KRW 47.21 兆 （49% 利益率） |
| 淨利 | KRW 42.95 兆 （44% 淨利率） |
2025 年是海力士有史以來最佳年度。KRW 97.15 兆的全年營收比前一年增加逾 KRW 30 兆，營業利益幾乎翻倍，主要驅動力是 HBM 銷售額全年翻倍以上成長。
SK 海力士會派股息嗎？股息與股東回報
海力士有季度配息制度，ADR 持有者同樣收得到。
2026年10月28日，董事會通過 第三季現金股息 W14 兆，每股 W20,000。其中 W10,000 反映業績改善，另外 W10,000 是分享 Kioxia 投資收益的特別股息。公司表示，今年 Kioxia 投資實現的收益，大部分會回饋股東。這次每股股息是現行政策每季 W375 的 53 倍以上。
以 10:1 ADR 比例計，每張 SKHY ADS 對應約 W2,000 的季息。以業績公布時約 W1,327 / USD 的匯率換算，約 USD 1.51 / ADS，扣除 22% 韓國預扣稅後約 USD 1.18。實際入帳金額，以存託銀行 Citibank 公布的除息日、匯率和存託費扣除為準。
韓國對外國投資人的股息預扣稅率是 22%（含地方稅）。大馬投資者一般無法向韓國稅務機關申請退稅，22% 即實際稅率。
Q3 之前，股息殖利率偏低：以 6月23日 KRX 收盤價計，全年 W1,500 / W2,555,000 ≈ 0.06%。Q3 單季 W20,000 的股息，以近期約 W127.5 萬的 KRX 股價計算，單季殖利率約 1.6%。但其中一半是 Kioxia 一次性特別股息，公司也表明股息金額會依經營業績決定，未來各季股息會隨獲利變動，不宜直接年化推算。
史上最大規模股票回購（Buyback）與注銷
2026年8月19日，SK 海力士 董事會通過史上最大規模股票回購方案：自 2026年8月20日起約三個月內，股票回購總額 W40 兆的自家股份並全數注銷。以董事會決議前一日收盤價 W166.2 萬計算，約為 2,407 萬股，佔總發行股數 730,492,365 股的約 3.3%，也是韓國上市公司史上最大規模的庫藏股注銷。公司表示，做出這項決定是因為認為目前股價沒有充分反映公司的競爭力、現金創造能力和中長期成長潛力。
公司同時把股東回報目標，從「2025 至 2027 年累計自由現金流（FCF）的 50% 以內」上調為「50% 以上」。這筆 W40 兆回購已在 2026年10月下旬提前完成，股份將於近期注銷。
Q3 業績同日，SK 海力士公布 2026 財年股東回報計畫，總規模約 W100 兆：
- 現金股息 W30 兆以上
- 股票回購及注銷合計 W60 兆以上（含 8 月宣布的 W40 兆）
董事會同日通過新一輪 W20 兆回購。其中 W10 兆用於股東回報，會全數注銷；其餘約 W10 兆用於員工薪酬，不計入股東回報總額。公司也訂出三項原則：股息依經營業績決定；出現重大投資收益時，以特別股息額外回饋；股票回購每季持續進行。
以目前公布的數字推算，已確定的注銷規模為 W50 兆（W40 兆加 W10 兆），要達到 W60 兆以上，Q4 還需要約 W10 兆以上的回購注銷。現金股息方面，前三季合計約 W14.5 兆，要達到 W30 兆以上，年終股息推算還需要約 W15 兆以上。
此次回報方案的財務底氣直接來自 Q2 2026 的快速累積：截至 Q2 末，現金及現金等價物達 W88 兆，總借款降至 W18.6 兆，淨現金頭寸擴大至 W69.4 兆。到 Q3 末，淨現金再增加到 W98.7 兆。
對 SKHY 持有者而言，股份注銷直接壓縮流通股本，每股盈餘（EPS）隨之提升；加上大規模現金返還降低了持有成本，在記憶體漲價動能趨緩的過渡期內，有助於為股價提供底部支撐。消息公布後，SKHY ADR 盤後漲超 4%。
SK 海力士 ADR 集資用途：USD 296.5 億要怎麼花？
根據 F-1 文件的披露，集資款項全數用於三項資本支出，沒有用來還債或回購股票：
| 用途 | 總預算 | 已投入（截至 2026年5月） | 計畫剩餘投入 |
|---|---|---|---|
| 龍仁 Fab 1 （不含設備） | W31.0 兆 | W4.4 兆 | W26.6 兆 |
| 清州 P&T7 先進封裝廠 （含設備） | W19.0 兆 | W0.1 兆 | W18.9 兆 |
| EUV 光刻機採購 | W11.9 兆 | — | W11.9 兆 |
| 合計 | W61.9 兆 | W4.5 兆 | W57.4 兆 |
龍仁半導體叢集 Fab 1（Y1）
龍仁（Yongin）廠群是海力士未來十年最大的基建投資。計畫在距首爾 50 公里的龍仁市建設 4 座晶圓廠。Y1 是第一座，2025年2月已動工，Phase 1 潔淨室預計 2027年Q1 開放，整廠潔淨室 2030 年底啟用。
F-1 把整個 Yongin 複合體定位為「下一代廠房與研發設施」，Fab 1 總預算 W31.0 兆（約 USD 204 億）。
這次 ADR 集資的 W31.0 兆，是龍仁計畫的第一期資金，不是全貌。
SK 海力士在 Q3 業績中表示，龍仁 Phase 1 將在 2027 年進入全面運轉，加上韓國國內外基建投資加速，2027 年的投資規模會大幅增加。公司也強調，會依客戶需求、產品競爭力、獲利能力和投資效率，彈性調整投資規模和時程。
2026年6月29日，SK 集團董事長崔泰源在韓國總統李在明主持的半導體 AI 重大投資發布會上宣布，原定 2045 年完工的龍仁半導體叢集將提前 12 年，目標改為約 2033 年。SK 海力士同步公布中長期半導體投資計畫，整體投入規模達 W1,100 兆：
| 地區 | 用途 | 計畫投入 |
|---|---|---|
| 龍仁 | DRAM 產能擴張 | W600 兆 |
| 清州 | NAND 產能擴張 | W100 兆 |
| 西南部新廠 | 新建記憶體晶圓廠 | W400 兆 |
| 合計 | 半導體擴產 | W1,100 兆 |
這筆資金將透過營運現金流、債務融資及未來集資分期投入，ADR 集資只是啟動資金。韓國政府同日宣布與三星和 SK 海力士合作，推動規模達 USD 5,200 億的半導體 AI 產業投資計畫，目標五年內將 DRAM 產能翻倍。
清州 P&T7 先進封裝廠
HBM 的供貨瓶頸不只在晶圓，把多層 DRAM 垂直疊在一起的封裝工序才是現在卡產能的地方。
P&T7 總預算 W19.0 兆（約 USD 125 億），潔淨室完工預計到 2030 年底。公司計劃在 2026 年底前讓 M15X 達到滿產，用於增加 HBM4 產量。
土建預計 2027 年底完工，設備安裝後 2030 年底全面投產。
EUV 光刻機採購（W11.9 兆，2027年12月前交貨）
1c-nm 製程需要 ASML 的 EUV 光刻機，F-1 明確寫明採購總金額 W11.9 兆（約 USD 78 億），預計 2027年12月底前全部交貨。
美國印第安納封裝廠（不在 ADR 集資範圍內，但重要背景）
2024年12月，海力士宣布在印第安納州建先進封裝廠，預計 2028年下半年投產。依 CHIPS Act 規定，達到里程碑後最多可獲聯邦補貼 USD 4.58 億及貸款 USD 5.7 億。
但這筆補貼目前存在不確定性。Trump 政府雖未正式廢除 CHIPS Act，但商務部 CHIPS Program Office 已大規模裁員，計畫執行大幅縮水。F-1 文件本身也在 Risk Factors 明確警示：「不能保證 CHIPS Act 不會被進一步修改或終止，或海力士的印第安納投資仍符合要求。」這筆廠的建設資金另計，不計入 ADR 集資的三項用途。
集資款不足的部分，海力士說明將以「營運現金流、現有和未來信貸額度及債券」補足。
SK 海力士的競爭力：為什麼 HBM 市場是它說了算？
三星和美光都在追趕，但海力士目前的領先位置建立在兩個難以快速複製的條件上。
時間先發優勢，且差距還在
HBM3E 海力士比三星早約 6–12 個月量產。這個時間差讓 Nvidia 在認證 Hopper 和 Blackwell 架構的 HBM 供應商時，海力士是唯一的成熟選擇。一旦 Nvidia 工程師針對某款 HBM 完成認證，替換供應商的工程成本極高，黏性比一般商品型記憶體強得多。
封裝良率的護城河
HBM 的良率門檻不只在晶圓製程，封裝良率同樣關鍵。三星在 2024–2025 年被多次報道封裝良率落後，導致遲遲無法大規模出貨給 Nvidia。海力士在這個環節的優勢，是清州 P&T7 封裝廠這次集資要強化的核心。
| 公司 | HBM 市占（Q1 2026） | 美股代號 | 備注 |
|---|---|---|---|
| SK 海力士 | 56.4% | SKHY （2026年7月上市） | HBM3E 先發量產， Nvidia 首要供應商 |
| 三星電子 | 20.5% | SSNLF （OTC，流動性差） | 規模最大， 但 HBM 封裝良率仍追趕 |
| 美光科技 | 23.1% | MU （那斯達克） | 唯一美國本土廠， 受惠 CHIPS Act 補貼 |
值得一提的是，海力士 Q1 2026 法說會透露，客戶對 HBM 的需求已超過公司未來三年的規劃產能。這意味著在可見的未來，HBM 不需要擔心去化問題，和普通 DRAM 的週期性庫存壓力是截然不同的情況。
長期採購協議（LTA）鎖定需求
SK 海力士 Q2 法說會透露，公司已與約 10 家關鍵客戶簽訂長期採購協議（Long-Term Agreements，LTA）。到 Q3 業績發布時，簽約客戶增加到 14 家主要客戶，包括全球主要雲端服務商（CSP），已簽訂的 LTA 量相當於 2027 和 2028 年總產能的 50% 以上。這些合約一般為期 5 年，公司也正和多家客戶洽談延長年期。
定價方面，LTA 讓價格在雙方議定的區間內隨市況調整，公司鎖定穩定獲利的同時，也能跟上市場價格變化。這意味著未來數年的出貨不完全依賴單季訂單，客戶集中度風險有所對沖。
指數納入預期：短期 USD 35 億，長期 USD 150 億被動資金
SKHY 掛牌後將立即具備納入美股指數的資格，這是 ADR 上市帶來的一個直接流動性催化劑。瑞銀（UBS）在最新研報中測算了各指數的被動資金流入規模。
上市後，SK 海力士約 USD 9,600 億的流通市值有望納入 MVIS 美國半導體 25 指數（即 SMH ETF 追蹤的指數）。受指數個股權重上限規則限制，SK 海力士在該指數最高可達 5% 權重，僅 SMH 一支 ETF 就預計帶來約 USD 35 億的被動資金流入。相比之下，若同時被納入 SOXX 指數，對應資金流入規模較小，約 USD 2 億。
長期而言，隨著 ADR 流通盤逐步擴大，SK 海力士有機會被納入納斯達克 100 指數（QQQ 的追蹤標的，管理規模達 USD 4,820 億）。瑞銀預估，長期合計將帶來約 USD 150 億的被動資金流入。短期內，SK 海力士較難立即納入標普科技精選指數。
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估值折價
從估值角度看，SK 海力士目前以未來 12 個月預期本益比（P/E）約 6.2 倍交易，低於美國同業美光科技（Micron Technology）的 7 倍。而美光稍早估值一度超過 11 倍。以預期股價營收比（P/S）衡量，SK 海力士為 3.6 倍，同樣低於美光的 4.6 倍。登陸那斯達克後，市場普遍預期 SK 海力士的估值將向美國同業靠攏，這也是機構看好此次 ADR 上市的核心論點之一。
SK 海力士 ADR 的風險
任何在股價已大漲 280% 後才上市的標的，都有估值已計入預期的問題。
記憶體週期性
記憶體產業有強烈的週期性。2022–2023 年的那一輪下行，海力士曾單季虧損 KRW 3.4 兆，股價當時腰斬。目前的超級週期由 AI 驅動，但如果 AI 資本支出增速放緩或 HBM 需求成長低於預期，記憶體公司的估值修正可以相當快。
據外媒引述 Q3 業績電話會，SK 海力士也提醒，記憶體漲價和供應短缺加劇，預計會壓低 PC 和智慧型手機的出貨量。消費電子需求一旦轉弱，會先反映在一般 DRAM 和 NAND 的價格上。
ADR 匯率風險
持有 SKHY 等於用美元買入一個以韓圜計價的公司。如果韓圜相對美元貶值，即使海力士 KRX 股價沒有變動，你的 SKHY 美元回報也會縮水。韓圜受韓國出口、全球風險情緒、美韓利差等因素影響，波動不可忽視。
三星和美光追趕
三星在封裝良率上落後，但三星的研發資源和規模不可低估。一旦三星解決封裝問題，其 HBM 市占回升速度可能比市場預期快，對海力士的定價能力形成壓力。
ADR 存託費
ADR 存託費每年 USD 0.01–0.05 per ADR，由存託銀行自動扣除。持有量不大的話影響不顯著，但持有上千張 ADR 的投資者，每年要留意這筆隱性成本。
地緣政治（朝鮮半島）
海力士最大廠區在韓國利川和清州，主要風險資產完全集中在朝鮮半島。半島局勢若升溫，會直接衝擊股價情緒，這是韓國股票共有的地緣政治折讓。
美國出口管制與 VEU 撤銷
海力士在中國有無錫和大連兩個廠，對中國市場有實質曝險。中國業務佔 Q1 2026 收入 24.3%，是第二大市場（美國 64.7%）。
2023年10月，BIS 曾授予海力士「Validated End-User」（VEU）資格，讓它可以不用逐案申請許可向中國廠輸送設備。但 2025年8月，BIS 宣布撤銷 VEU 資格，自 2025年12月31日起生效，改為每年提交計畫申請年度許可。2026 年已獲得年度許可，但這個「每年一次」的機制意味著不確定性永久存在。一旦申請未獲批准，海力士在中國的廠就可能面臨設備短缺。
客戶集中度風險
F-1 披露：Q1 2026 前兩大客戶分別佔收入 14.8% 和 12.4%，合計 27.2%；2025 全年最大客戶（外界普遍認為是 Nvidia）佔收入 23.9%。在 HBM 需求旺盛時這是優勢，但一旦 Nvidia 調整採購計畫或轉向其他供應商，衝擊幅度相當直接。
不過，截至 Q3 業績發布，公司已和 14 家主要客戶簽訂 LTA，覆蓋 2027–2028 年逾 50% 產能，長期採購承諾一定程度上緩解了短期訂單波動帶來的集中度風險。
CXMT（長鑫存儲）競爭
F-1 明確將中國廠商 CXMT 列為 DRAM 市場競爭者。CXMT 的崛起受益於中國政府的半導體補貼政策，目前主要攻 DDR4 和 DDR5 低端市場，對 HBM 的威脅有限，但如果美國制裁使 CXMT 被排除在全球供應鏈之外，部分訂單可能回流海力士；反之若 CXMT 技術提升，中低端 DRAM 的定價壓力會上升。
另一個近期發展直接印證 CXMT 已非單純的中國本土替代方案：2026年6月下旬，蘋果向川普政府遊說，尋求獲准採購 CXMT 的 LPDDR 記憶體。過去三季記憶體均價漲幅達四倍。蘋果已對 Mac 和 iPad 全線提價 USD 100–500。蘋果願意主動為一家列入五角大廈黑名單的廠商遊說，同時說明了兩件事：DRAM 供應缺口的嚴重程度，以及 CXMT 的技術規格已達到高端消費電子標準。這對海力士消費級 DRAM 的長期定價構成結構性挑戰
DRAM 反壟斷集體訴訟
SKHY 上市前半個月，三星、SK 海力士與美光在加州聯邦法院同時遭集體訴訟。17 名原告指控三家公司藉 HBM 戰略轉型為名，協同壓縮 DDR3、DDR4 傳統 DRAM 產能，導致過去四年漲價約 700%。案件由北加州聯邦地區法院 Judge Noel Wise 主理，原告求償包括三倍懲罰性賠償。
前科讓這次訴訟不容輕忽。三星與 SK 海力士曾就 2000 年代美國司法部刑事調查正式認罪，合計繳納逾 USD 7.3 億罰款，多名高管被判監禁，訴狀直接援引這段記錄建立串謀行為模式。
訴訟結果難以預測，短期對股價的影響不確定，但法律成本和潛在罰款屬於實質性風險。同期，Jefferies 最新預測記憶體價格走勢如下，這正是訴訟指控的同一批漲價：
- 2026年 Q3：再漲 40–50%
- 2026年 Q4：再漲 30–40%
- 2027 年全年：同比再增 40–45%
- 最早 2028 年才可能出現明顯放緩
漲價對海力士營收有支撐，但訴訟進展是需要持續追蹤的背景風險。
AI 技術效率提升的潛在衝擊
2026年3月，Google 發布 TurboQuant 量化算法，理論上能讓 LLM 以「相同物理記憶體處理更多數據」，潛在地降低對 HBM 的需求。這不是立即性威脅，但代表 AI 記憶體需求的上升軌跡並非不可撼動。如果算法效率大幅提升，GPU 廠對 HBM 的需求增長速度可能低於預期。
南方東英槓桿 ETF 帶來的系統性波動風險
南方東英（CSOP）SK 海力士槓桿 ETF 推出僅九個月，資產規模已膨脹至 USD 130 億，成為全球最大的單一股票槓桿 ETF。據彭博 2026年7月2日的報道，在市場波動最劇烈的日子裡，這支 ETF 及其相關產品的交易量，可以佔到 SK 海力士全日股票總成交量的三分之二。對一間市值逾 USD 1.2 兆的公司而言，這是市場結構的根本性改變。
SK 海力士在 KOSPI 指數中的權重達 28%，與三星電子（29%）合計超過指數一半。這意味著 ETF 每一次大規模調倉，都有直接牽動南韓整體市場的能力。 6月23日該 ETF 單日暴跌 23%，觸發 KOSPI 崩跌 10%，並拖累那斯達克下滑 3%。
維持這支 ETF 正常運作的成本也在快速攀升。高盛、摩根士丹利等逾 20 家銀行每天需提供互換協議製造槓桿，並買入叫做「cliquets」的奇異衍生商品進行避險。防範 SK 海力士股價暴跌的衍生商品年化成本，已從 2026年3月的約 3% 在三個月內飆升至 10% 以上，部分銀行已縮減願意承擔的風險敞口，並警告可能暫停新 ETF 份額的申購。野村策略師估計，市場每波動 1%，全球槓桿 ETF 就會產生約 USD 90 億的機械性調倉需求。南韓金融監管機構也已公開對 5月批准的 16 支跟風槓桿 ETF 表達遺憾，認為這些產品加劇了市場波動，且逾九成投資者為散戶。
SK 海力士在首爾的股價若因 ETF 調倉出現異常波動，ADR 價格也會隨之受影響，因為兩者的價差有套利機制維持同步。分析師另指出，SKHY ADR 掛牌後若吸引更多美股投資人，有助增加 SK 海力士股票的整體流動性，從而部分緩衝 ETF 調倉帶來的衝擊。但這個效應需要等實際成交量放大後才能驗證。
高預期帶來的估值壓力
SK 海力士 Q2 2026 的營收和營業利益均刷新季度紀錄，但雙雙低於分析師共識預期。市場預期營收約 W83.9 兆、營業利益約 W64.2 兆，實際分別為 W79.3 兆和 W60.5 兆。業績公布後，SKHY ADR 盤後一度跌超 5%。
這說明 SK 海力士目前的估值已把極高的成長預期計入。即使業績本身在歷史上無懈可擊，只要低於市場前設預期，股價仍可能出現大幅修正。對在高位買入的投資者而言，這是需要提前理解的估值結構。
未達預期的主要原因有三：
- SK 海力士的 HBM 敞口較高，但本季利潤爆發的主要驅動力反而是通用 DRAM 和 NAND 現貨價格飆漲，高 HBM 比例反而限制了彈性
- Q2 DRAM 季漲約 30%，低於 Q1 的約 60%，漲勢出現放緩
- 長期採購協議（LTA）鎖定了約 50% 的銷售量，現貨價格上漲的獲益彈性因此受到壓縮。
Q3 2026 的情況相反：營收和營業利益分別高於市場預期約 6% 和 9%，股價反應卻溫和。據外媒報導，業績公布後 SK 海力士在韓國 Nextrade 盤前只漲約 3%。截至 10月26日，KRX 股價約 W127.5 萬，比 6月22日的收盤高點 W291.9 萬回落逾 56%。業績超預期卻沒能帶動股價明顯回升，反映市場對記憶體週期能撐多久仍有分歧。同日還有 Fed 利率決議和 Alphabet、微軟財報，資金在消息落地前也偏向觀望。
記憶體行業展望，SK 海力士前景和潛力如何？
2026 年，全球記憶體半導體市場正在經歷一輪罕見的量價齊飛。根據 Gartner 的預測數據，整體記憶體市場規模將從 2025 年的 USD 2,160 億增至 2026 年的 USD 6,330 億，單年成長幅度達 192.7%。這個速度放在任何行業都算極端，放在以「慘烈週期性」著稱的記憶體行業，更是幾乎前所未見。
| 細分市場 | 2025A | 2027E | CAGR（2025–2027） |
|---|---|---|---|
| 整體記憶體市場 | USD 2,160 億 | USD 7,480 億 | 86.0% |
| DRAM（含 HBM） | USD 1,430 億 | USD 4,010 億 | 67.3% |
| HBM | USD 330 億 | USD 860 億 | 60.5% |
| NAND Flash | USD 680 億 | USD 3,410 億 | 123.7% |
AI 伺服器採用分層記憶體架構。HBM 貼近 GPU 提供最高頻寬、伺服器 DRAM 貼近 CPU 負責工作記憶體、eSSD 提供大容量持久儲存。三個層次需求同步成長，不是單一產品獨大。
Gartner 預測，NAND 市場的 CAGR（2025–2027）達到 123.7%，比 HBM 的 60.5% 還高。原因是 AI 資料中心的 eSSD 需求爆發，加上 NAND 均價在 2026 年 Q1、Q2 分別預測年增 111.1% 和 243.8%，Q3/Q4 更超過 250%。
定價端還有傳統 DRAM 的缺貨。由於各廠商把產能集中轉向 HBM，傳統 DRAM 的供給持續緊縮，Gartner 預測傳統 DRAM 均價在 2026 年 Q2 的年增幅將達到 198.1%。
這波增長並非源自於需求端突然暴增，而是 HBM 的高工序複雜度把產能吃掉了，傳統 DRAM 變成結構性短缺的受益者。SK 海力士在 DRAM 市占第二，同時拿到 HBM 漲價和傳統 DRAM 短缺漲價的兩份紅利。
企業客戶（伺服器、資料中心、AI 基礎設施）在整體記憶體市場的佔比，從 2020 年的 26.5% 上升至 2025 年的 43.1%，預計 2027 年達到 51.9%，首次超過消費端。這意味著記憶體行業的需求基礎正在往更長週期、更可預測的企業資本支出移動，傳統記憶體週期的劇烈波動性理論上將有所收斂。SK 海力士是這個結構轉型裡定位最清晰的廠商。
SK 海力士在 Q3 業績中預期，記憶體供不應求的格局將持續到 2030 年。
需求端，公司認為 AI 帶來的生產力提升和新收入（軟體開發、客服、搜尋等），會推動更多企業採用 AI，再帶動基建投資。AI 投資的主力也從少數大型科技公司，擴大到一般企業和國家級計畫。短期由企業和個人 AI 帶動，中長期則看自動駕駛、機器人等實體 AI。
供給端，尖端製程技術難度高，新廠從興建到投產的週期又長，產能擴張跟不上需求成長。據外媒引述業績電話會，公司預計 2027 年 DRAM 需求年增約 20% 中段，NAND 需求年增約高十位數百分比。
延伸閱讀：
SK 海力士 ADR 適合哪些投資者？
每個人的財務狀況和風險承受能力不同，以下只是產品層級的參考框架，不是個人化建議。
比較適合 SKHY 的投資者：
- 已在美股投資、不想另外開韓股帳戶，但想參與韓國半導體龍頭的成長
- 看好 AI 記憶體在未來 3–5 年的長期需求，願意承受半導體產業的週期性波動
- 能接受 ADR 帶來的韓圜匯率曝險，不把 SKHY 當成無匯率風險的美元資產
比較不適合 SKHY 的投資者：
- 無法承受半導體股的高波動（記憶體股在週期低谷時跌幅可達 50–70%）
- 短期內需要資金流動性，或不能接受新上市股票在初期流動性可能較不穩定的情況
- 偏好穩定配息、低波動型投資：SKHY 的股息會隨經營業績和一次性投資收益變動，Q3 的高股息有一半來自 Kioxia 特別股息，不代表穩定的配息水準
總結
SK 海力士 ADR 這次上市，本質上是把一個在韓國市場已存在 30 年的記憶體龍頭，開了一個美股入口給全球投資者。
公司的基本面在 AI 記憶體超級週期裡相當紮實：Q3 2026 的 80% 營業利益率和首破 W100 兆的單季營收、全球 56.4% 的 HBM 市占、14 家主要客戶簽下覆蓋 2027–2028 年逾半產能的 LTA、龍仁廠群和清州先進封裝廠清晰的擴張路線，加上 2026 財年約 W100 兆的股東回報計畫。
但進場前幾件事值得想清楚：股價上半年大漲後，已從 6月高點回落逾一半，業績超預期也沒能帶動明顯反彈，說明市場對記憶體週期的看法分歧很大。ADR 帶著韓圜匯率曝險，不是純粹的半導體敞口。記憶體有週期，2022 年的大幅虧損才過去幾年。
這家公司 40 年了，不是零到一的故事。SKHY 給的是一個不用開韓股帳戶的買法，機會和風險都在上面說得很清楚了。
常見問題（FAQ）
Q：SK 海力士的美股代號是什麼？
SK 海力士的那斯達克 ADR 代號是 SKHY，自 2026年7月13日正式掛牌交易。7月10日起先以 SKHYV 代號開放預交易。上市前在美國 OTC 市場的代號是 HXSCL，但 OTC 流動性差，建議等 SKHY 正式掛牌後再買。
Q：10 張 ADR 和 1 股韓股有什麼差別？
代表的公司所有權比例是一樣的。10 張 SKHY ADR = 1 股 KRX 000660.KS。差別在於：SKHY 以美元計價、在那斯達克交易、大馬投資者用美股帳戶就能買；KRX 普通股以韓圜計價，要另開韓股帳戶，手續較繁瑣。ADR 每年另有 USD 0.01–0.05 per ADR 的存託費，韓股則無。
Q：SK 海力士 ADR 在大馬幾點可以交易？
SKHY 在那斯達克交易。那斯達克美東夏令時間的 9:30am–4:00pm 對應馬來西亞時間晚上 9:30pm 至凌晨 4:00am；冬令時間則是晚上 10:30pm 至凌晨 5:00am。多數美股平台也支援盤前盤後交易，可以更早下單，但成交量較低。
Q：韓國股票的股息稅怎麼算？
韓國對外國投資人的股息預扣稅率是 22%（所得稅 20% + 地方稅 2%）。ADR 持有者收到股息時，存託銀行會在入帳前代扣這筆稅，你收到的是稅後金額。大馬和台灣投資者通常無法向韓國稅務機關申請退稅，22% 就是實際稅率。
Q：HBM 是什麼？為什麼這麼重要？
HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）是把多層 DRAM 晶片垂直疊在一起、以超寬資料通道連接 AI 晶片的記憶體類型。普通 DDR5 記憶體頻寬約 51 GB/s，HBM3E 約 1,200 GB/s，快了超過 20 倍。AI 模型訓練的速度瓶頸往往在於能多快把數據餵給 GPU，這就是為什麼 Nvidia H100、H200、B200 每顆都必須搭配 HBM。沒有它，算力等於閒置。
Q：SK 海力士 Q3 2026 派多少股息？SKHY 持有人收得到嗎？
SK 海力士 Q3 2026 每股派息 W20,000，其中 W10,000 是一般股息，另外 W10,000 是 Kioxia 投資收益的特別股息。以 10:1 比例計，每張 SKHY ADS 對應約 W2,000，由存託銀行換成美元，扣除 22% 韓國預扣稅和存託費後發給 ADR 持有人。特別股息屬於一次性回饋，之後各季股息會依經營業績決定。
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